目前碳化硅功率晶体的发展主要在于几个方向：1.降低单位晶粒面积下的通态电阻；2.提高功率晶体门极可靠度3.在不影响驱动位准的大前提下降低驱动电压位准。

低电流范围内电气表征的典型问题是：必需确定低功率/低漏流MOSFET在不同条件下可实现的器件性能。

器件适用于汽车和工业设备，外形尺寸为4527，最高工作电压达1500V

本文将重点讨论使用双极性结型晶体管(BJT)和NMOS晶体管的稳定电流源。

器件采用10mm x 6.4mm x 10mm封装，径向固定配置，减小占位面积，直流内阻低至0.130m，工作温度达+155℃

在电力电子领域，工程师一直以来有着6大诉求：更优秀的性能、更高的能效、更好的成本、更强的鲁棒性、更多的设计裕量，以及设计灵活性。

40V和100V器件通过AEC-Q101认证，与传统SOD/T封装二极管相比节省空间并提高了散热性能

精密合金取样电阻是现代电子设备不可或缺的重要元件，起到设备中电流检测或者保护功能的采样。目前常见的采样电阻从0805封装到2512封装均有，并且具有更大封装或者使用多颗并联，满足大电流采样需求。快充充电器及移动电源中主要应用为1206封装，分别用于USB-C输出端电流检测，和电池端电流检测。

R53薄膜电容器是符合AEC-Q200标准的小型化器件；对于在严酷、恶劣的环境条件下需要最高可靠性和扩展寿命的应用，具有最高的IEC鲁棒性分类。

小型化一直是多层陶瓷片式电容器(MLCC)产品的热门趋势。但缩小尺寸并非易事，特别是需要考虑到许多临界条件。虽然数字工具可以为用户提供很多的协助，但如果用户完全依赖这些工具，住往会忽略一些关键的技术问题。

新型振荡器涵盖波导规格WR-90、WR-42和WR-28并支持X、K和Ka波段。这些耿氏二极管波导振荡器采用紧凑型封装设计，可靠性高，满足MIL-STD-202规定的冲击、振动、海拔和湿度测试条件。采用坚固、紧凑型封装设计，工作温度范围为-40°C至+85°C。

未来汽车一定会采用800V电压平台。800V电压平台可以带来重量更轻、体积更小、效率更高的好处，而其中不管是电池的充放电还是电机驱动，都会用到功率器件，尤其是碳化硅。

Harwin不断扩大针对工业市场的产品组合，现在宣布推出Archer .8系列，该双排0.8毫米间距板对板连接器系列的堆叠高度为5毫米，适用于空间非常受限，且性价比非常重要的应用，其中包括工厂自动化和环境监控设备、智能电表、零售设备、服务器/数据中心硬件和电动汽车的电池管理系统等应用。

器件通过AEC-Q200认证，节省电路板空间，同时减少元件数量，降低加工成本