几星期前，我太太的电脑显示器开始间歇性地出毛病。屏幕上图像右移，拖不到滑动条了。然后有一天，显示器彻底坏了。LED指示灯不停闪烁，显示屏黑了，适配器的LED灯也在闪......

通常，BOM上的无源元件数量是IC数量的五倍或更多倍。虽然它们中有许多是无关紧要的，但是又有许多非常重要。此外，随着工作频率常常达到GHz和数GHz范围，它们的第二级和第三级特性以及一致性变得更加重要。

旁路电容器在配电网络中无处不在。如果从时域方面考虑，可以说旁路电容器根据需要为负载存储和提供电荷。如果考虑频域，则可以说旁路电容器有助于达到阻抗目标。无论哪种方式，都需要为旁路电容器提供良好的仿真模型，以便可以放心地进行布局前后的仿真。

本实验活动的目的是测量反向偏置PN结的容值与电压的关系。

小微企业正在被忽略，原因是传统的元器件代理行业的成本太高，做小微企业不赚钱——一定要等到这样的企业渐成气候，才会开始切入。拍明芯城嗅到商机，为此打造了一个元器件交易平台和综合供应链服务平台，重点服务这些小微企业。

二极管的参数有哪些？其常规参数包括正向压降、反向击穿电压、连续电流等；交流参数包括开关速度、反向恢复时间、截止频率等；极限参数包括最大耗散功率、工作温度、存贮条件等。

插电式混合动力/电动汽车(xEV)包含一个高压电池子系统，可采用内置的车载充电器(OBC)或外部的充电桩进行充电。充电(应用)要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。本文将主要介绍用于电动汽车直流充电桩的超级结MOSFET和具成本优势的IGBT方案。

如果需要更好的理解功率MOSFET，则需要了解更多的一些参数，这些参数对于设计都是十分必要和有用的。

在前不久的一篇博文中，Max Maxfield跟我们分享了将一根电线连接到另一根电线的几种方法。用他的方法连线看样子固定死了，而且连接的过程冗长又乏味。我的方法却很快，还可以拆开重连。

Qspeed硅二极管采用混合PIN技术，可在软开关和低反向恢复电荷(Qrr)之间提供独特的平衡。该特性有助于降低EMI和输出噪声，这对于车载音响系统特别重要。

最近因为厂内发生钽电容烧毁的问题，查找原因的时候，对电容就有了更多的了解。

对很多芯片和分立功率器件来说，散热器是耐热寿命和设计中不可或缺的考虑因素。缺少了这些通常是无源但有时是有源的元器件，芯片/元件可能会因为自己产生的热量无法散发出去，而把自己给“煮熟”，甚至会对其它部分造成影响。

每种硬件设计都需要一定程度的时钟解决方案。根据应用要求，解决方案可能从简单的石英晶体振荡器直到更高集成度的时钟器件。在器件选择方面，没有一劳永逸的策略。一个常见的问题是如何决定何时使用振荡器而不是时钟。每种方法都有利弊。另一个同样具有挑战性的问题是如何为特定应用选择合适的时钟器件。

在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全，只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数，以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。

晶体管的开关速度由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含开启和关断两个过程，开启时间为ton，关断时间为toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。如何提高晶体管的开关速度呢？这要从两个方面来考虑。。。