对于工业应用，器件可提供达9000W超高功率耗散，无外部辐射

对大部分负载管理电路来说，MOSFET正在迅速取代继电器成为首选的开关技术，电力电子系统的维护成本也随之降低。本文讲述了输出电流的控制和感测基础，并分析了一种智能负载管理产品。

一档广受关注的电视节目专门设置一些特殊状况，“嬉弄”无辜路人，然后用隐藏的相机拍下他们的不同反应。主持人拿着一个他们断定“无用”的电子产品，非要让路人苦想其用途，电视机前的观众笑翻了天。但是，这个电子产品，真的像主持人认为的那样毫无用处吗？

正是这种骨子里的创新DNA和引领科技前沿的精神，引导史密斯集团一路前进，目前在全球50个国家拥有22,000员工，拥有五个分部......

EDN之前在英文网站和中文网站发表了“电器坏了，出错的总是电容器”一文，文中指出很多测试设备故障都是由于电解电容器干燥或者钽电容器失效引起的。这显然戳到了中美工程师的痛处，他们读完这篇文章后，踊跃留言，分享自己经历的电容器的故事。

Anchor的后屋是你能找到大部分货物的地方。所有的IC主动和被动元器件都在后面。这是你从柜台前面可以看到的图片。注意右边的卡片目录。工作人员就是这样找到后面的东西的。

氧化铝层可以承受正向的直流电压，如果其承受反向的直流电压，其很容易在数秒内失效。这个现象被称为‘ Valve Effect ’，这就是为什么铝电解电容拥有极性的原因，如果电解电容的两个电极都有氧化层，则形成无极性电容。

二极管产生的正向压降跟整流特性一样有用，它们随温度变化很大。这会增加损耗，并可能导致电源容许误差。虽然损耗可能无法消除，但在某些应用中却可以使用二极管来减少容许误差。本文将用三个示例说明如何达成这一目标。

本文用一个具体的例子比较在电压轨上完成电流检测的几种不同方法。第一种方法是使用带分立电阻器的单运放差分放大器；第二种方法是用V+而不是地作为参考轨；第三种方法在IC解决方案中很常见，在这种方案中，晶体管和运算放大器一起工作，以接地参考电流测量。

作者听过一句至理名言，“电器坏了，总是电容器出问题！”。很多测试设备故障都是由于电解电容器干燥或者钽电容器失效造成的。碰巧作者的空调坏了，果然“又是电容器的错！”。自己动手换电容，省了一大笔钱，这感觉实在太美妙！

作者的一位同事接到了一项任务，要向客户推荐一个简单的脉宽调制电路。最直接的方法可能是用一个具有方波输出的振荡器和一个积分器为比较器提供三角波形。但是作者另辟蹊径，将输入作为输出，节省了一个运算放大器。

Hot 100是EDN一项承传已久的历史活动，每年美国的编辑们都会选出当年最热门的100款产品分享给大家。又是一年到了！2017年最热的产品有哪些？EDN编辑根据自己的判断和读者的兴趣选出了100个热门产品。

当一个功率MOSFET被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流时，体漏二极管的特性及质量因子将变得非常重要。当需要Q_rr数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V“F7”功率MOSFET确保能效和换向性能更加出色。

虽然增强型FET比耗尽型FET的应用要广泛得多，但耗尽型FET尤其是JFET在模拟设计中仍占一席之地。增强型 MOSFET 器件需要能量来供电，而耗尽型器件需要能量“停止”供电，这是它们的主要区别。

笔者在寻求理想晶体管的过程中，发现早已存在的一系列电路，如伪理想双极结式晶体管 (pseudo-ideal BJT) 和电流反馈放大器。前者可实现更简单的放大器，后者在某些高速应用中可以取代传统的运算放大器。