2024年1月4日，上海 —— 纳芯微推出全新低功耗霍尔开关NSM107x系列，为数字位置检测提供高精度的解决方案，可被广泛应用于工业与消费电子领域。纳芯微全新霍尔开关NSM

索斯科在原有的摩擦铰链系列的基础上推出了在有限空间精准定位控制的低平式产品。

本文研究具有背靠背MOSFET的理想二极管以及其他更先进的器件。文中还介绍了一种集成多种功能以提供整体系统保护的理想二极管解决方案。二极管是非常有用的器件，对许多应用都很重要。标准硅二极管的压降为0.6 V至0.7 V。肖特基二极管的压降为0.3 V。一般来说，压降不是问题，但在高电流应用中，各个压降会产生显著的功率损耗。理想二极管是此类应用的理想器件。幸运的是，MOSFET可以取代标准硅二极管，并提供意想不到的应用优势。

该方案只需要一个放大器，由单一电源电压运行，并且提供非同寻常的电流模式输出···

电化学电容器的比容量要比电解电容器高三个数量级，是微型化、集成化滤波电容的良好选择，但受限于缓慢的离子迁移动力学，电化学电容器无法做到滤波需求的高频率响应能力，因此电化学电容器往往需要以牺牲比容量的方式，来平衡高频率的需求，到目前为止还难以实现实际应用···

当在指定的操作参数范围内使用时，舌簧继电器可以执行数百亿次操作，而性能变化很小或没有变化。例如，每天每小时运行 100 次（24 小时周期），大约需要 1141 年才能达到 10 亿次运行的里程碑。增加操作频率不应引起关注，因为要达到每分钟 100 次操作 19 年后才能达到相同的里程碑，而每秒 100 次操作则需要近 4 个月。

在前面教程所学知识的基础上，我们现在开始学习晶体管这一重要的电子元件。

这一设计思路提供了一种替代方案。它只用一个普通的电位器R来控制两个通道的增益，从而避免了双联电位器的缺点···

在“2023中国临港国际半导体大会”同期举办的“汽车半导体峰会”上，Isabellenhuette（伊莎贝棱辉特）中国区总经理兼亚洲销售副总裁Ladislav Varga发表了“智能汽车架构的区域控制器”主题演讲。

X0115ML是ST为接地故障断路器 (GFCI) 和电弧故障断路器(AFCI)设计的首款断态浪涌峰值电压750 V的紧凑型可控硅整流器(SCR)

非接触式连接的重要性已不用赘述。通过用非接触式解决方案替代机械连接器，可以实现线条更流畅的设计、更坚固耐用的特性和更具创新的功能。

经过AEC-Q200认证的电磁器件获高性能被动电子/分立器件奖

X-FAB宣布推出专用近红外版本的单光子雪崩二极管（SPAD）器件组合。

低成本密封器件满足航空航天应用高可靠性需求

11月3日，在2023国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shenzhen)同期举办的“芯”品发布会上，上海类比半导体技术有限公司发布了全新的车规级智能高边驱动HD7xxxQ系列，该系列产品包括车规级单通道高边驱动HD70xxQ和车规级双通道智能高边驱动HD70xx2Q。