背面供电技术将信号走线、供电走线分离，后者转移到晶圆背面，可以分别单独优化，带来更高性能、更低成本，不过也面临良品率、可靠性、散热、调试等各方面的挑战。  

深圳创实技术在全球一家扎根工业级以上高精尖制造领域OEM客户的2023年第一季度供应商评比中取得了95的高分，被评为A级供应商。

如今，有超过30亿部支持NFC的智能手机正在被使用，NFC无线充电市场已经准备就绪，并且触手可及。

“这是我们两年来在大面积电池上创造的第二个世界纪录，标志着我们技术的又一个里程碑。”牛津光伏首席执行官David Ward表示。

本文中求解了变容二极管的电荷方程，并在结处显示出了不连续性，因此证明了确定性混沌的存在。

本电路中的MOSFET可以在恒温电路中用作加热器和温度传感器。该电路可用作培养皿中某些生物结构的微型恒温器，其他用途则可能包括塑料切割/焊接、电子元器件恒温，甚至软焊接。

RISC-V由于其开放性，有望成为全球最有前景的处理器设计架构。当前，RISC-V已经成为了一条竞争激烈的赛道，在其中，既有阿里、Intel等巨头的深度参与自研，也有企业提供定制平台，还有中小企业在其中“裸泳”。现在的RISC-V有点类似于当年谷歌刚刚推出安卓时的境况：有深入研发的，有试水的，有押宝的；有做平台的，有做专用的，也有做通用的……RISC-V的上下游厂商如何在这条未来极有可能火爆的赛道上找到自己的成功之路呢？

新一代针对数字设计占比高的车规级工艺

近日，据日本国家信息与通信技术研究所(NICT)官网消息，一个国际联合团队创造了行业标准光纤传输速度新纪录：67公里长的光纤上，数据传输速度高达每秒1.7PB。相关论文以“Randomly Coupled 19-Core Multi-Core Fiber with Standard Cladding Diameter”(标准包层直径随机耦合19芯多芯光纤)为题收录于2023年光纤通信大会(OFC 2023)。

NVIDIA CEO黄仁勋表示该公司正在努力实现芯片制造的多元化，最近收到了基于该公司下一代芯片的英特尔测试芯片的良好测试结果工艺节点：“你知道我们也与三星一起制造，我们对与英特尔一起制造持开放态度。我们最近收到了他们下一代的测试芯片结果过程，结果看起来不错。”

检验功率半导体器件中的各种噪声源，例如热噪声和散粒噪声。

在本教程中，我们将分析PN结中的耗尽层和结的过渡电容。

据外媒消息，近日，佳能成功开发出了一种全新的，不采用稀有金属的QD-OLED(即量子点)面板材料，该材料有望在数年内实现商业化。

据外媒报道，马萨诸塞大学阿默斯特分校的研究团队最近构建了一种材料，仅利用周围环境的空气就能产生近乎恒定的电力，从而可能为一种新的、几乎无限的可持续、可再生能源奠定基础。相关研究成果发表在《Advanced Materials》(先进材料)。

据外媒报道，先进锂离子电池技术公司Prieto Battery推出其获得专利的3D叉指式电池的最新原型，具有多项突破性性能，不但可以在3分钟内将电池充满，还可以在极低（-30℃）和极高（+100℃）的温度下运行和充电，同时这款锂离子电池的所有三项属性均经过了第三方认可的电池测试实验室的测试和验证，且不易燃。