据EDN电子技术设计报道，三星电子设备解决方案业务部代工业务总裁兼总经理 Siyoung Choi 博士表示，随着两家公司推出下一代 2 纳米半导体制造工艺，它可以在五年内击败台积电 (TSMC)。

5月3日，初创公司NEO Semiconductor宣布推出其突破性技术3D X-DRAM，该技术可以生产230层的128Gb(16GB) DRAM芯片，是当前DRAM密度的八倍。这是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。

近日，美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维(2D)过渡金属二硫化物(TMD)材料层，以实现更密集的集成。

在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前，应对其可靠性和鲁棒性进行评估。本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开，以便更好地理解系统设计的权衡，以提高效率和可靠性。

Eggtronic的技术解决了传统无线充电中出现的效率挑战。

奕成科技高端板级系统封测集成电路项目的成功投产，标志着中国大陆首座板级高密系统封测工厂实现零的突破，填补了国内空白，技术平台可对应2D FO、2.xD、3D PoP等先进系统集成封装及Chiplet方案。

最新消息指出美光科技公司正在印度建立一个投资10亿美元的制造工厂，印度政府将批准某些激励其在该国运营的审批。

越来越多具备异质电压域的系统级芯片(SoC)设计从定制模拟IP转向自动化实现，因此设计工程师不必再担心手动模拟定制导致的进度落后。

近日，美国芯片公司Marvell，终于正式发布了全球第一颗3nm芯片，基于台积电3nm工艺打造的数据中心芯片。

GlobalFoundries (GF) 周三 表示，它已起诉 IBM 向英特尔和日本 Rapidus 财团泄露其与联合开发的芯片技术相关的商业机密。该诉讼还指控 IBM 正在积极挖角 GF 的工程师

4月17日，欧洲知名的RISC-V IP内核供应商Semidynamics宣布了世界上第一个完全可定制的64位RISC-V内核系列，为人工智能、机器学习(ML)和高性能计算(HPC)等应用处理大量数据提供了理想的选择。

美国商务部长吉娜·雷蒙多 (Gina Raimondo) 日前表示，未来几年美国将缺少大约 100,000 名半导体技术人员，这是个大问题，这也是一个机会。

近日，韩国浦项科技大学与俄罗斯圣彼得堡国立信息技术、机械学与光学研究型大学所组成的研究团队共同开发出一种纳米激子晶体管。经过多年的研发和实验，这项新技术将可以克服当前晶体管技术所面临的局限性，极具前景。该研究工作最近发表在国际纳米研究领域权威期刊《ACS Nano》杂志上。

在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性。

4月19日，据外媒The Information消息，微软公司正在开发自己的人工智能（AI）芯片，为聊天机器人ChatGPT背后的关键技术提供动力，以降低训练生成人工智能模型的成本。