据EDN电子技术设计引援韩媒报道称，三星“Exynos 2400”芯片预计将于明年发布，并再次搭载在三星智能手机Galaxy上，韩媒称“Exynos 2400”将基于新推出的尖端芯片技术实现翻天覆地的变化。

据EDN电子技术设计报道，英特尔今日官宣旗下芯片代工部门（IFS）和Arm宣布了一项多代协议，以确保使用Arm技术的手机芯片和其他产品能够在英特尔的工厂生产。

一位个人资料声称是AMD工程师的LinkedIn用户@Md Zaheer 公开了AMD Zen 6 处理器的代号和工艺节点。据报道，Zen 6 芯片采用了 2nm 制造工艺。

据英国《新科学家》杂志网站报道，英国科学家开发了一种技术，利用激光在生物体内3D打印出导电电路，这项技术未来有望用于创建和维护人体植入物或脑机接口。相关研究刊发于最新一期《先进材料技术》杂志。

从中国科学技术大学官网获悉，该校国家同步辐射实验室宋礼教授团队基于插层型锌离子电池正极材料的同步辐射谱学表征，提出了插层剂诱导Vt2g轨道占据的概念，开发了具有快速充电性能的铵根插层五氧化二钒锌离子电池正极材料。

电源的尖峰可能会损坏车辆中的电子设备或导致致命的电击。

据外媒报道，iPhone 15 Pro和Pro Max版本将使用一个新的超低能耗微处理器，允许某些功能，如新的电容式固态按钮，即使在手机断电或电池耗尽的情况下也能保持功能。

最近有消息称，三星正在秘密开发名为Exynos 2500的新一代移动芯片，这款芯片将搭载三星自主研发的GPU，但也会使用AMD的技术。

近日，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员团队研发出10nm超短沟道弹道二维硒化铟(InSe)晶体管，这是世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管，其实际性能超过Intel商用10nm节点的硅基Fin晶体管，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5V。

Power Electronics News探讨了在涉及高压的应用中优化宽禁带半导体使用的方法。

麦德美爱法将于慕尼黑上海电子生产设备展展览会上展示线路板组装的集成解决方案，包括高可靠性锡膏及兼容强化和保护功能的聚合物。此外，还将重点展示一些材料和工艺，应用于芯片、封装和顶部连接等，势必对正在发展的中国电力电子行业产生重要影响。

4月5日，ChatGPT官网宣布，由于需求量过大，暂停Plus付费项目的购买。业内推测，这是由于ChatGPT背后的算力资源出现明显缺口，导致OpenAI不得不暂时踩下用户增长的"刹车"。不过4月6日，OpenAI的ChatGPT已经恢复了Plus订阅服务。

当地时间4月4日，谷歌研究人员在线发表一篇论文《TPU v4：用于机器学习的光学可重构超级计算机，硬件支持嵌入》，首次公布了谷歌用于训练人工智能模型的超级计算机的技术细节，并宣称该系统比英伟达的超算系统更快且功耗更低。

高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。

随着人工智能和5G的进步，智能边缘时代的转型也在加速，互联和计算的优势正快速衍生到工业和高端汽车体验等应用中，人们在这些具有挑战的环境中对微控制器(MCU)提出了新的要求。在3月30日举办的MCU 技术与应用论坛上，多位行业专家将齐聚一堂，与观众共同探讨如何打造更智能、更安全、更互联的MCU方案，加速拥抱智能边缘时代。