有传闻称华为或将召开会议讨论14nm和12nm芯片。传言称它可能是 720 SoC。这款华为芯片采用SADP工艺，14nm+++，12nm节点。

三家全球领先公司紧密协作，以满足基于台积公司先进技术的设计在芯片、封装和系统等方面的挑战

近日，据南京大学官网消息，该校物理学院闻海虎教授团队领衔在全球顶级科研期刊《Nature》(《自然》)上发表了题为“Absence of near-ambient superconductivity in LuH2±xNy（LuH2±xNy在近常压下无超导电性）”的研究论文，否定了美国罗切斯特大学研究团队提出的镥-氢-氮化合物中的室温超导现象。

近期，宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的研究人员首次创造了一种光子器件，无需光刻即可提供可编程的片上信息处理，为AI应用提供通过卓越的准确性和灵活性增强的光子学速度。

在本文中，我们将重点关注如何验证GaN可靠性并重点介绍来自GaN器件的可靠性数据。

如果存在任何的不平衡，都可能会导致效率损失和开关损坏。

据EDN电子技术设计报道，苏州国芯科技股份有限公司披露其全资子公司广州领芯研发的第一代RAID控制芯片改进量产版产品内部测试成功，并表示可实现同类产品的国产化替代，打破长期以来Raid控制芯片被国外公司垄断的局面。

我们储存和转换日常所使用能源的方式，正在转向更多的可再生能源。

日前，印度高级计算发展中心 ( C-DAC ) 宣布，它正在研究一系列基于 ARM 的 CPU，包括旗舰 AUM 芯片。现在，该公司公布了其 AUM CPU 的首个细节，该 CPU 将针对 HPC 领域。

近日，EDN小编从中国科学技术大学官网获悉，该校郭光灿院士团队在硅基半导体量子计算研究中取得重要进展，在硅基锗量子点中实现了自旋量子比特操控速率的电场调控，以及自旋翻转速率超过1.2 GHz的自旋量子比特超快操控，该速率是国际上半导体量子点体系中已报道的最高值。

维信诺正式全球首发无金属掩膜版RGB自对位像素化技术——维信诺智能像素化技术（Visionox intelligent Pixelization），简称ViP，以替代FMM技术，即半导体光刻工艺取代掩膜版。

制造商在生产高质量SiC衬底时面临着多重挑战。

这是三星首次将其未来的芯片制造工艺与其主要的 4nm 工艺进行比较

近日，瑞典皇家理工学院的瓦伦堡木材科学中心(WWSC)和林雪平大学的研究团队取得了突破性的进展，首次成功地使用导电木头制造出了晶体管。这种晶体管不仅可以控制电流，而且还具有可降解、可持续、低成本等优点。相关研究成果发表在《美国国家科学院院刊》(PNAS)。

 Occamy是一款用于AI和高性能计算工作负载的低功耗芯片，芯片基于开源的RISC-V架构，采用Chiplet工艺，基于用格芯12nm低功耗制程，整合了两组32bit的216个RISC-V内核，加上未知数量的64bit的浮点运算单元 (FPU)，以及两颗来自美光科技的16GB HBM2e存储芯片。