中微公司”，上交所股票代码：688012）推出自主研发的12英寸低压化学气相沉积(LPCVD)设备Preforma Uniflex™ CW。

对用于高频车载充电器的混合双向PFC的分析突出了GaN和SiC等宽禁带半导体在高频工作中带来的优势。

DC-DC转换器是电动汽车(EV)的重要组成部分，可改变电压值以运行需要低或高直流电压的不同应用。

在【第四届半导体青年学术会议】期间，泰克将集中展示最新测试方案，为神经形态器件与脑类计算、低维半导体材料测试、半导体量子器件测试等前沿研究提供全面领先解决方案。

AMD 首席执行官苏姿丰日前表示，摩尔定律并未消亡，chiplet和3D封装等创新将有助于克服挑战。

近日，剑桥大学生物启发机器人实验室的研究人员创造了一种新的基于水凝胶的皮肤，这种极其柔韧的皮肤使用一系列电极和一种算法重建触觉刺激，让机器人能够检测物体的触觉特性，复制人类的触觉，有望促进软体机器人的开发。

随着可持续的能力提高以及成本降低，带动快速充电技术的进步，可望成为电动汽车(EV)快速充电站扩展的主要推动力，并进而推动电动汽车市场增长…

据EDN电子技术设计报道，三星电子设备解决方案业务部代工业务总裁兼总经理 Siyoung Choi 博士表示，随着两家公司推出下一代 2 纳米半导体制造工艺，它可以在五年内击败台积电 (TSMC)。

5月3日，初创公司NEO Semiconductor宣布推出其突破性技术3D X-DRAM，该技术可以生产230层的128Gb(16GB) DRAM芯片，是当前DRAM密度的八倍。这是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。

近日，美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维(2D)过渡金属二硫化物(TMD)材料层，以实现更密集的集成。

在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前，应对其可靠性和鲁棒性进行评估。本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开，以便更好地理解系统设计的权衡，以提高效率和可靠性。

Eggtronic的技术解决了传统无线充电中出现的效率挑战。

奕成科技高端板级系统封测集成电路项目的成功投产，标志着中国大陆首座板级高密系统封测工厂实现零的突破，填补了国内空白，技术平台可对应2D FO、2.xD、3D PoP等先进系统集成封装及Chiplet方案。

最新消息指出美光科技公司正在印度建立一个投资10亿美元的制造工厂，印度政府将批准某些激励其在该国运营的审批。

越来越多具备异质电压域的系统级芯片(SoC)设计从定制模拟IP转向自动化实现，因此设计工程师不必再担心手动模拟定制导致的进度落后。