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制造/工艺/封装
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制造/工艺/封装
意法半导体发布集成先进功能的反激式控制器,提升LED照明性能
2023年2月21日,意法半导体的 HVLED101反激式控制器适用于最高180W的LED 灯具,集成各种功能、控制专利技术和初级检测稳压支持,有助于提高照明性能,简化灯具电路设计。
意法半导体
2023-02-21
光电及显示
EDA/IP/IC设计
制造/工艺/封装
光电及显示
可拉伸电子产品有戏了?科学家研发新型弹性聚合物电介质
尽管最近在材料和制造技术方面取得了进展,但开发具有大面积均匀性、低功耗和性能可与传统刚性设备相媲美的本征可拉伸电子设备仍然具有挑战性。一个关键的限制是缺乏弹性介电材料……
综合报道
2023-02-20
产业前沿
消费电子
新材料
产业前沿
国内首款高功率人眼安全波段VCSEL芯片
据报道,近日,长春中科长光时空光电技术有限公司(简称:长光时空)与中国科学院长春光学精密机械与物理研究所(简称:长春光机所)联合发布了在人眼安全垂直腔面发射激光器(VCSEL)方面的最新成果。
综合报道
2023-02-20
分立器件
自动驾驶
安全与可靠性
分立器件
SK海力士DRAM工艺翻车?材料存在质量问题
据EDN电子技术设计了解,SK海力士本月在DRAM晶片生产工艺中出现了一些质量问题,主要原因是受SK trichem提供的高k值锆基薄膜材料质量问题影响。
综合报道
2023-02-20
产业前沿
制造/工艺/封装
缓存/存储技术
产业前沿
NOR Flash克服可穿戴设备设计挑战
为了持续改进下一代设备中的各种功能,可穿戴设备和耳戴式设备依赖于内存。内存是实现高级设备的关键设计因素...
Linus Wong和Wilson Yen,英飞凌科技
2023-02-16
智能硬件
数据中心
安全与可靠性
智能硬件
“IDM929”14nm工艺自研国产GPU芯片即将流片
2月14日消息,据智绘微电子官方消息,该公司自研国产GPU芯片“IDM929”已完成设计,即将进入流片阶段。
综合报道
2023-02-21
处理器/DSP
EDA/IP/IC设计
制造/工艺/封装
处理器/DSP
美日荷“联盟”围堵中国芯,中国半导体行业协会:反对!反对!反对!
对于美日荷“联盟”围堵中国芯的行为,中国半导体行业协会今日发表了严正声明,表示美日荷此举如果成为现实,在对中国半导体产业造成巨大伤害的同时,也将对全球产业及经济造成难以估量的伤害,对全球最终消费者的利益造成长期伤害。
EDN China
2023-02-15
产业前沿
制造/工艺/封装
产业前沿
3D堆叠V-Cache技术AMD锐龙7000X3D系列处理器官宣
近日,AMD宣布了备受期待的Ryzen 7000X3D系列处理器的发布日期和价格。
综合报道
2023-02-15
处理器/DSP
EDA/IP/IC设计
通信
处理器/DSP
高通推出骁龙X35,全球首个5G NR-Light调制解调器及射频系统
2月8日,高通宣布推出5G NR-Light(也称作RedCap)调制解调器及射频系统——骁龙X35 5G调制解调器及射频系统,这也是全球首个5G NR-Light调制解调器及射频系统。
综合报道
2023-02-09
通信
物联网
网络/协议
通信
PMIC如何应用在图像传感器设计
若设计者需求高质量的供电,又要节省电路板空间,PMIC就成为相当好的解决办法。本文将阐述PMIC如何导入图像传感器的应用,以及导入后的效果。
Oleh Lastovetskyi
2023-02-08
电源管理
PCB设计
传感器/MEMS
电源管理
28000PPI,Mojo Vision研发全球最高密度MicroLED
虽然眼镜没能做成,Mojo Vision在MicroLED显示技术上却实实在在的得到了积累。Mojo Lens搭载的就是一枚直径仅0.5mm的MicroLED,且像素密度做到了14000PPI,号称全球最高密度的MicroLED显示器。而目前Mojo Vision更新网站,称其技术可达到28000PPI。
综合报道
2023-02-07
光电及显示
知识产权/专利
EDA/IP/IC设计
光电及显示
大幅提升电动汽车超级电容器性能的新型电极材料
东国大学的研究人员设计并合成了一种新型混合复合电极材料,可显著提高用于混合动力电动汽车(HEV)的超级电容器的性能。该复合电极由粉刷在氧化石墨烯(CCS@GO)上的硒化钴纳米棒-硒化铜多面体组成,具有“前所未有”的电化学性能。
综合报道
2023-02-06
电池技术
新材料
安全与可靠性
电池技术
台积电向大学开放7nm FINFET工艺
台积电启动了大学 FinFET 计划,旨在为该行业培养未来的芯片设计人才,并推动 7nm 芯片研究。
EDN综合报道
2023-02-06
制造/工艺/封装
制造/工艺/封装
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布推出采用新型L-TOGL™(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。
东芝
2023-02-03
分立器件
制造/工艺/封装
功率器件
分立器件
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EDA/IP与IC设计:引领芯片产业变革的未来引擎(上午场)
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