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制造/工艺/封装
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制造/工艺/封装
苹果AR/MR头戴设备采用台积电制造的4nm与 5nm双CPU
苹果的AR / MR头戴设备将采用两个定制芯片同步运行,性能方面有很大的发挥空间。据悉,这两款未命名的 SoC 都将在不同的节点上量产,分别为4nm与5nm工艺,且双 CPU 均采用 ABF 载板。CPU 与 ABF 载板目前分别由台积电与欣兴独家开发。
综合报道
2022-01-12
产业前沿
EDA/IP/IC设计
制造/工艺/封装
产业前沿
日本利用金和水蒸气等离子体改进柔性电子器件的制造
随着电子设备变得越来越小,以及对可弯曲、可穿戴和皮肤电子设备的需求增加,构建这些设备的传统方法已变得不切实际。最大的问题之一是如何连接和集成多个设备或设备的各个部分,每个设备都位于单独的超薄聚合物薄膜上。使用粘合剂层将电极粘在一起的传统方法会降低柔韧性,并且需要对超薄电子设备造成损害的温度和压力。可以使用直接金属对金属键合的传统方法,但需要非常光滑和干净的表面,这在这些类型的电子产品中并不常见。
日本理化学研究所
2021-12-31
产业前沿
制造/工艺/封装
消费电子
产业前沿
ISSCC 2022倒计时:欧洲,你准备好了吗?
国际固态电路会议(ISSCC 2022)将于2022年2月20日至24日以现场活动和虚拟活动两种形式同时举行。尽管欧洲具有创新生态系统,但其通过提交技术论文的代表人数多年来却一直在稳步下降。ISSCC欧洲地区委员会正在努力扭转这一趋势。
Anne-Françoise Pelé
2021-12-31
EDA/IP/IC设计
数据中心
传感器/MEMS
EDA/IP/IC设计
全球芯片荒:谁害的?有解吗?
除了等待新的晶圆厂上线,您对于IC短缺的原因和解决方案有什么看法?您认为电路重新设计是一种可行的方法吗?系统或整体的产品重新设计可行吗?使用更少的IC呢?其它方法可行吗?或者我们应该再等等?
Bill Schweber
2021-12-30
产业前沿
EDA/IP/IC设计
制造/工艺/封装
产业前沿
CPU使用新的自适应技术,可将所需晶体管数量减少85%
维也纳科技大学的一组研究人员进化出了计算最基本的单元:晶体管。利用元素锗 (Ge),他们开发了一种新的自适应晶体管设计,可以根据工作负载要求即时更改其配置。它的潜力巨大,因为它可以使使用的晶体管比目前的方法少 85%。
2021-12-29
产业前沿
EDA/IP/IC设计
制造/工艺/封装
产业前沿
台积电扩大2纳米制程可能耗资一万亿台币
台积电或许会进一步扩大2nm产能,台湾媒体此前的报道曾暗示,如果该公司觉得有必要扩大生产,那么它可能会转向台中市——台积电已经在那里的科学和工业园区设有设施。 不过新计划并没有那么顺利,《联合日报》(United Daily News, UDN)援引市政府官员的话说,新的芯片设施对环境的影响很大,另一方面则是能源供应问题,市长也强调,台积电应该考虑使用可再生能源来满足该设施的电力需求。
2021-12-28
产业前沿
制造/工艺/封装
消费电子
产业前沿
罗克韦尔自动化石安:智能制造不是软硬件技术的叠加
罗克韦尔自动化(中国)有限公司总裁石安发表《颠覆:数字化重塑产业生态价值链》主题演讲。发言中,石安分享了罗克韦尔自动化运用数字化技术颠覆商业模式的成功案例,并期待能够携手战略合作伙伴共同打造健康的智能制造产业生态价值链,迈向数字文明新时代。
2021-12-21
制造/工艺/封装
制造/工艺/封装
Syndion GP:赋能先进功率器件的未来
未来的特种技术需要怎样的芯片制造工艺?
泛林
2021-12-20
制造/工艺/封装
功率器件
产业前沿
制造/工艺/封装
印度将投300亿美元打造半导体制造生态系统
印度政府周三批准了一项协议,该协议将使该国投入 230,000 千万卢比(约合 300 亿美元)支持将印度变成半导体制造强国的计划。政府补充说,它将投入 55,392 千万卢比(约合 75 亿美元)用于其电子制造计划,其中包括大规模电子制造、IT 硬件、促销活动和电子制造集群。
综合报道
2021-12-16
产业前沿
EDA/IP/IC设计
制造/工艺/封装
产业前沿
赵伟国举报紫光千亿重整:734.19亿国有资产落入李滨等人私人腰包?
紫光集团破产重组即将尘埃落定之时,集团董事长赵伟国却突然于昨日发声强烈反对。以《谁的紫光》为题目,十问重整管理人钱凯和范元宁,并附12份附件,以实名举报的方式,表达了对重整计划的不满。
综合报道
2021-12-16
产业前沿
制造/工艺/封装
EDA/IP/IC设计
产业前沿
三星联手IBM推出颠覆传统设计的VTFET技术
在2021 第 67 届 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,三星和 IBM 在他们关于“设备级 3D”的讨论中宣布共同推出垂直传输场效应晶体管(VTFET),两家科技公司合作在设计技术上取得了重大突破,这项突破性的新技术允许晶体管垂直堆叠,与按比例缩放的FinFET相比,性能可实现翻倍,或将耗能降低85%。
EDN China
2021-12-15
产业前沿
制造/工艺/封装
EDA/IP/IC设计
产业前沿
OPPO发布自研NPU芯片:马里亚纳 MariSilicon X
昨日(12月14日),OPPO未来科技大会上正式宣布了其首款自研NPU芯片——马里亚纳MariSilicon X。这是一款专为影像能力服务的NPU芯片,将搭载在OPPO明年第一季度发布的Find系列旗舰手机上,会为消费者带来突破性的视频拍摄功能。
综合报道
2021-12-15
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产业前沿
击败阿里,接盘紫光的智路、建广到底是什么来头?
深受债务问题的国内芯片领域 “ 航母 ”紫光集团破产重整一事终于有了新的进展。然而最后胜出的并非网友们预测的浙江国资委和阿里巴巴,而是此前默默无闻的智路资本和建广资产。
综合报道
2021-12-14
产业前沿
制造/工艺/封装
EDA/IP/IC设计
产业前沿
英特尔公布其加速摩尔定律计划:10倍的密度改进和后硅晶体管时代
在 IEDM 2021上,英特尔发布了一系列新公告,将推动和加速摩尔定律在 2025 年之后实现。这些技术包括整合量子物理突破、新封装和晶体管技术等。
2021-12-13
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产业前沿
哈佛大学:中国这些科技领域全球第一!
据EDN电子技术设计报道,美国哈佛大学肯尼迪学院Belfer科学和国际事务中心(下文简称哈佛)日前发表最新研究报告显示,未来10年,即使不会超过美国,中国在包括量子计算、半导体、生物技术和清洁能源等领域将逼近美国,此外,尽管美国政府不甘于在一些领域被中国超越,但是中国在5G通讯、人工智能等领域已经开始领先美国。
夏菲
2021-12-10
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