利用SEMulator3D虚拟工艺建模平台应对存储器制造挑战

ASML将自2023上半年起提供客户0.55数值孔径(NA)的新一代EUV机台(目前版本为0.33NA)；该公司副总裁Teun van Gogh接受《EE Times》采访时表示，这将有助于芯片制造业者在至少10年内突破2奈米节点的瓶颈。

据国内数码博主@数码闲聊站爆料称，联发科的下一代天玑旗舰芯片组将暂时命名为天玑 2000，并补充了一些关于其构成的细节。该芯片将采用台积电 4 纳米制程，采用全新的 ARMv9 架构。

由于TWS耳机的独特性，产品内部电池包括充电盒和两只耳机。目前充电盒内主要采用软包聚合物锂离子电池，极少数采用了圆柱电池；耳机内多为软包电池和钢壳纽扣电池，还有软包扣式电池和极少数的钢壳针式电池。本文就以恒泰科技为例，来详细为大家介绍一下软包扣式电池的生产流程，下面就让我们来一起看看吧~

三星表示3nm制程将推迟到2022年上半年量产。原因可能是三星担心如此早批量生产这些节点可能会导致较低的良率百分比，这将导致三星浪费无数资源向客户交付小批量晶圆，进一步加剧持续的芯片短缺。

这种方案是一种折中的技术路线，介于全分离器件方案和全部器件单片集成的方案之间。对于硅光芯片不好解决的问题，使用其他工艺平台的成熟芯片进行整合封装，而不是想办法通过硅光自己的技术途径进行突破。在现阶段，也许是一个不错的选择，是一种可以带来收益的可行路线。

总芯片面积增加了 22.8%，但不同的 IP 块有所不同。共享级缓存是最大的贡献者。

“迈铸半导体”完成千万级Pre A轮融资，本轮融资由武汉至华投资有限公司、广州润明策投资发展合伙企业、上海绿河晟阳创业投资合伙企业共同投资，用于公司下一代合金材料微铸造工艺的研发、新研发中心建设、市场推广和团队扩张等。

使用合适的设备可大幅提升生产力和效率并保护人员安全。WCO服务包可确保客户能随时随地获得所需要的标准和定制设备。

泰克科技日前为吉时利S530系列参数测试系统发布了KTE V7.1软件，在全球市场最需要的时候帮助加速半导体芯片制造进程。

随着DDR技术的进步，容量16GB的DDR4内存条已是随处可见，但是你见过16GB的DDR4颗粒吗？目前主流的单颗粒容量是1GB或者2GB，那16GB容量的 DDR4颗粒是怎么做到的呢？今天我们来聊聊能够实现单颗粒16GB DDR4的SIP技术。

随着各类镜头、显示设备、生物识别技术产品、5G通讯技术和终端设备，以及最近备受关注的未来“元宇宙”重要场景入口设备的AR/VR等消费类终端的创新发展，对光学镀膜设备的技术工艺以及性价比要求也越来越高。

该化学品安全性更强，可确保凸块下金属化层表面形态光滑，厚度均匀一致

英伟达一直一直在积极探索使用不同封装技术获得更高性能的方法，以摆脱单片芯片设计，据悉，Nvidia的最新方法是使用硅通孔 (TSV) 技术和增强的功率传输方法引入3D 芯片堆叠。这听起来类似于我们已经从 AMD、英特尔和台积电那里听说过的技术，但也存在一些差异。

尽管谷歌Pixel 6还未发布，但其搭载的Google Tensor 处理器早已引起了网友的关注及讨论：Tensor能否赶上苹果A系列芯片的性能？Tensor真的会使用最新最好的技术吗？对比Snapdragon 888、Exynos 2100是否有优势？