在刚刚结束的苹果春季发布会上，苹果如大家所愿发布了最新的高性能芯片，苹果的做法是采用M1 Max中隐藏的芯片互连模块，通过Ultra Fushion架构把两块芯片像拼拼图一样“合二为一”拼接成“M1‌ Ultra”，而国内企业有同样思路的就是华为海思了。

新型硅光平台现已推出，助力应对当前数据量的迅猛增长，同时显著降低功耗

英特尔、AMD、Arm 和所有领先的代工厂商齐聚一堂，包括高通、三星、台积电、日月光，以及Google Cloud、Meta、微软，宣布他们正在为小芯片互连制定一个新的开放标准Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe)，希望以UCIe 1.0规范建立芯片互连、兼容运作，让更多业者能依照此标准打造新款处理器，并且能配合不同微芯片建构差异化设计。

随着芯片集成度越来越高和功能越来越复杂，在芯片开发过程中很容易产生缺陷。为确保芯片中的功能不受到影响，在流片前修复这些缺陷非常重要。本文将介绍如何通过手工修改网表代码或使用Conformal或Formality等工具执行工程设计变更单 (ECO)，来修复RTL固定后发现的缺陷。

双方在芯片异质整合方面的合作研究计划延长五年，目的是着重于加速在混合键合(hybrid bonding)与其他新3D芯片整合技术的材料、设备和制程技术突破。

韩国科技部周一表示，该国 1 月份半导体出口额为 109 亿美元，较 2021 年同月增长 24%。该部表示，这标志着半导体出口额连续第九个月超过 100 亿美元。其中，存储半导体占 65 亿美元，系统半导体占 38.7 亿美元。

原子层沉积（ALD）工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。

近期，英特尔一项新的专利似乎指明了英特尔前进的方向，即“堆叠叉片式晶体管（stacked forksheet transistors）”技术，以保持摩尔定律前进的动力。值得一提的是，英特尔并不是第一家引用这种制造方法的公司。

2021年，英特尔新任CEO 帕特·基尔辛格(Pat Gelsinger)上任后发布了“IDM2.0”战略，表示将注资200亿美元于美国亚利桑那州的两座芯片厂。就在近日，英特尔首席执行官基尔辛格表示，未来的总投资额可能会增加至 1000 亿美元，共建设 8 座工厂，这将是俄亥俄州有史以来最大的投资，也可能是未来全球最大的芯片制造基地。

增加电路密度而不必移动到新技术节点的优势使得垂直扩展成为半导体行业的强大驱动力。但它也有一系列挑战，其中关键的挑战便是刻蚀能力。

近日，三星在官网上线了Exynos2200，据悉，这是三星与 AMD合作的第一款产品。但三星目前只发布了 Exynos 2200 的部分规格。就在三星发布新款SoC几个小时后，就已经有外媒放出了据称是来自于某款搭载Exynos2200三星手机的跑分成绩。此外，我们将Exynos 2200 对比高通骁龙8 Gen 1、联发科天玑9000，看这三款芯片具体有哪些差异。

据EDN电子技术报道，苹果自研的新一代A16 Bionic仿生处理器已完成设计定案，将采用台积电4nm N4P制程投片，预计下半年开始在台积电Fab 18厂进入量产。据悉，由于晶圆代工产能供不应

安森美（onsemi）在汽车应用领域有着很强的优势。该公司自2021年8月份更名并启用新logo后，集中精力发展智能电源和智能感知技术，用来支持汽车和工业增长的大趋势。日前，该公司召开汽车方案媒体交流会，带我们了解汽车电子IC在这两个方面的技术发展趋势。

苹果的AR / MR头戴设备将采用两个定制芯片同步运行，性能方面有很大的发挥空间。据悉，这两款未命名的 SoC 都将在不同的节点上量产，分别为4nm与5nm工艺，且双 CPU 均采用 ABF 载板。CPU 与 ABF 载板目前分别由台积电与欣兴独家开发。

随着电子设备变得越来越小，以及对可弯曲、可穿戴和皮肤电子设备的需求增加，构建这些设备的传统方法已变得不切实际。最大的问题之一是如何连接和集成多个设备或设备的各个部分，每个设备都位于单独的超薄聚合物薄膜上。使用粘合剂层将电极粘在一起的传统方法会降低柔韧性，并且需要对超薄电子设备造成损害的温度和压力。可以使用直接金属对金属键合的传统方法，但需要非常光滑和干净的表面，这在这些类型的电子产品中并不常见。