我认为最大的性能突破在于在室温下不需要利用电子雪崩效应实现精准的单光子探测和光子计数，在实现千万高像素的同时不影响功耗和画幅帧数。

3月初，欧盟发布了“ 数字化指南”，最终目标是实现2nm工艺，并使欧洲的半导体产量占到全球产量的20％。然而，行业分析家认为，欧洲需要采取更务实、更循序渐进的方法，来拓展自己的芯片大业。

TSMC过去一年图像传感器的代工进展

此次战略合作将面向超越摩尔领域，基于原子层沉积（ALD）技术开展MEMS、CMOS图像传感器等重要领域的联合研发，携手深度合作，致力于加速超越摩尔领域的产业落地与技术创新。

目前，集成度高、制程工艺先进，兼具更高性能与更低功耗，且更为安全的芯片已然成为美军的研究重点。本文从国防系统定制ASIC微芯片、TrueNorth仿人脑芯片、碳基纳米3D芯片以及DNN芯片系统的研究情况入手，对美军工领域先进芯片研究的新进展进行了梳理。

芯片圈红人，著名红外摄影师Fritzchens Fritz近日又发布新作了！Fritzchens Fritz 分享了英特尔 11 代酷睿 i5-11400 芯片的高清内核裸图（Die Photoshoot），并通过热成像仪拍摄了芯片内部的热分布情况。

什么是“后摩尔”？为什么“后摩尔”要提升到国家战略程度？“后摩尔”技术包含哪些？本期矽说小编就来谈一谈我眼中的后摩尔。

这款新一代 DDR5 DRAM 的一项重大设计改进，是将 PMIC 也集成到了内存模组上（前几代仍将 PMIC 放在主板端）。

在传统的登纳德缩放比例定律大放异彩的日子里，我们经常想到平面晶体管。MOS和三极管等器件诞生出FinFET技术，将二维平面带入3D时代。但随着传统的FinFET逐渐失去动力，而且未来的器件足够薄，硅这样的传统3D半导体在2D领域效果不佳，使用二维晶体管将是大势所趋。

台积电与英特尔竞相投资美国本地制造据点，为美国经济带来了不少乐观气氛；预期随着两家公司的生产线开始动工、量产，彼此间的竞争会更有看头。

日前，三星发布了其新一代2.5D封装技术“I-Cube4”，EDN对该技术内部构造进行了分析。但近日，一名加拿大电气工程技术专家认为该封装技术有两个缺陷。

博主@手机晶片达人爆料，高通将在三季度大批量产6nm工艺中段5G芯片，跟联发科抢回失去的市场占有率。@数码闲聊站 对此表示：灭点火是有希望的。不过目前只能确定有基于6nm平台的中端芯，5nm那个旗舰芯短期内有点悬。

长电科技近日发布公告，公司圆满完成定增募资约50亿元人民币。 

IBM似乎在竞争对手之前取得了2nm的突破。苹果的M1和A14去年秋天与华为的麒麟9000并驾齐驱成为第一批基于台积电5nm工艺的处理器。同样采用5nm技术的还有高通的Snapdragon 888（采用三星的5nm技术制造）。

2020年，三星发布了新一代极具差异化的“X-Cube”技术，可以将逻辑芯片和和SRAM进行垂直3D堆叠。 近日，三星半导体再次宣称，公司已开发出能将逻辑芯片（Logic Chip）和4枚高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）封装在一起的新一代2.5D封装技术“I-Cube4”。