随着电子产品向“轻、薄、短、小”方向发展，PCB也向高密度、高难度发展，因此出现大量SMT、BGA的PCB，而客户在贴装元器件时要求塞孔，到底有哪些用处呢？

日前，IBM发布了一则重磅新闻，据其官方博客中透露，他们现在已发明了一种可以运行在100万个相变内存（PCM）上的无监督式机器学习算法。关于这个新闻的报道迅速覆盖了整个媒体产业。不但在于对这个算法的兴趣，还在于对这个PCM技术的期望。我们来看一下这个引起大家关注的PCM究竟是什么？

2016年中国大陆集成电路设计业首次超越封测业，制造业也首次超过1000亿大关。

之前曾传高通骁龙新旗舰的代工将从三星转向台积电，但现在看来可能性极低。因为针对三星8nm工艺，高通执行副总裁RK Chunduru称，该工艺相比10nm将提供更好的性能和可扩展性。算是从侧面确认了高通至少未来两年都会和三星持续合作。

电磁兼容设计通常要运用各项控制技术，一般来说，越接近EMI源，实现EM控制所需的成本就越小。PCB上的集成电路芯片是EMI最主要的能量来源，因此，如果能够深入了解集成电路芯片的内部特征，可以简化PCB和系统级设计中的EMI控制。

最新一代Apple Watch Series 3采用与上一代Series 2相同尺寸的SiP设计，但明显地封装进更多的组件，挑战SiP设计极限…

为了降低SiC的制造成本，美国北卡罗莱纳州立大学的研究人员设计了一种PRESiCE工艺，并搭配TI X-Fab实现低成本的SiC功率MOSFET…

随着4G网络的普及，5G网络的到来以及物联网的兴起，一个无线新时代即将来临，它们正在重塑人们的生活习惯。不管是终端的移动和物联网市场，还是新傲公司，都继续看好RF SOI。

在近日第五届上海FD-SOI论坛上，来自产业链上下游的嘉宾汇聚在一起，为大家描述了一个更为清晰、更为振奋人心的未来，EDN在此整理出来和大家分享。

第五届上海FD-SOI论坛昨天在上海召开，在论坛上，各位嘉宾在谈及与竞争对手/工艺的性能对比也没有遮遮掩掩，EDN很轻松的得到了竞争对手之间的性能互怼参数、竞争工艺互怼参数、成本互怼表格等数据……

“老虎不发威，当我是病猫吗？”——日前intel在中国北京举办“Intel精尖制造日”，首次为全球展示了其最新的10nm晶圆，并推出了面向物联网等应用推出的22FFL低功耗工艺，媒体采访环节当被问及为何此次直指台积电和三星时，Intel公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭说到。

英特尔今天公布了10纳米工艺制程的消息，这无异于一个重磅炸弹。目前全球性能最高的是14纳米晶体管，业内大多数使用的还算是14/16/20纳米制程，英特尔的10纳米工艺预计会领先整整一代。

三星确认包含EUV (extreme ultra violet，远紫外区) 光刻技术的7nm LPP制程已经提上日程，目标是将在明年的下半年开始初步试产。

尽管搭载麒麟 970 的首款机型华为 Mate 10 还要到 10 月 16 日才会发布，但华为、三星、高通三者的年度旗舰芯片其实已经可以做一次基本的对比。下面就根据目前已知信息来和大家讲解一下。

在8月下旬于美国硅谷举行的年度Hot Chips大会上，Intel与Xilinx分享了芯片堆栈技术的最新进展...