麻省理工学院的工程师们已经开发出一种新方法来制作更清晰、无缺陷的显示器。该团队并没有在水平拼凑中并排更换红色、绿色和蓝色发光二极管，而是发明了一种堆叠二极管以创建垂直、多色像素的方法，可以实现完全身临其境的虚拟现实显示和更高分辨率的数字屏幕。

东国大学的研究人员设计并合成了一种新型混合复合电极材料，可显著提高用于混合动力电动汽车(HEV)的超级电容器的性能。该复合电极由粉刷在氧化石墨烯(CCS@GO)上的硒化钴纳米棒-硒化铜多面体组成，具有“前所未有”的电化学性能。

据报道，荣耀申请的“一种集成复用北斗短报文功能的电子设备”专利已获批通过，授权公告号为CN213586302U，可看出该专利是荣耀研发的卫星通信技术。

为了找到摆脱对钴依赖的锂离子电池的其他解决方案，美国阿贡国家实验室的研究团队开发了一种不含钴且更加稳定的阴极材料，基于这项研究的论文发表在9月21日的《自然》杂志上。

回收、恢复原状和再利用电池及其先进的配方，比起在纸张等更简单的产品上进行同样的事情，当然是更困难得多了，甚至是非常复杂的..

机器人多方面任务的安全和精确控制是由一套传感器来实现的，例如碰撞检测、避障和导航。

Wolfspeed于今日宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的 200mm 晶圆制造工厂。

据EDN电子技术设计了解，外媒称AMD 将与英特尔一起支持美国桑迪亚国家实验室开发用于能源部 (DoE) 核武器模拟的新型内存技术。

GaN技术距离其理论性能极限还有30倍的差距，因此仍有空间开发更好的GaN芯片。为了充分利用晶体管，设计工程师必须专注于智能拓扑、布局和热管理，而不是使用GaN的原始功率...

据科技日报消息，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员将低功耗芯片设计、机器学习算法和柔性植入式电极相结合，制作出一种神经接口，可识别和抑制各种神经系统疾病症状。研究成果近日发表在《IEEE固态电路》杂志上。

GaN和SiC都是新技术，而且正迅速带来多样化应用和设计创新。GaN和SiC器件正在形成特定市场，同时，在这些WBG技术之间也存在着部分的市场重叠...

据中国电信研究院官方最新消息，由中国电信研发的5G扩展型小基站国产化pRRU也已经研发成功，芯片和器件国产化率达到100%，实现了小基站产品国产化研发的首个里程碑，推动了小基站设备国产芯片的应用和发展。

今年一月各大厂商新推出的功率器件可圈可点，在能效、封装、散热、简化设计等方面都取得了不错的表现，同时研发重点也更着重聚焦于碳化硅功率器件在电动汽车上的应用。

据EDN电子技术设计了解，为加强技术进出口管理，国家商务部会同科技部等部门发布关于《中国禁止出口限制出口技术目录》修订公开征求意见的通知，对该目录进行了修订， 本次修订拟删除技术条目32项，修改36项，新增7项，修订后《目录》共139项，包括禁止出口技术24项，限制出口技术115项。

苹果近期发布了其最新的M2 Pro和M2 Max芯片，与上一代芯片相比，其CPU和GPU性能有了显着提升。虽然新的M2 Max芯片比其他芯片更接近M1 Ultra芯片，但数据显示，M1 Ultra仍然是苹果最强大芯片。