在本文中，我们将重点关注如何验证GaN可靠性并重点介绍来自GaN器件的可靠性数据。

如果存在任何的不平衡，都可能会导致效率损失和开关损坏。

我们储存和转换日常所使用能源的方式，正在转向更多的可再生能源。

我一直觉得“光电倍增器”一词是错误的说法。每个入射光子都会引发一连串的事件，导致大量电子到达阳极。因此，这更像是一个电子倍增的过程...

具有纤薄设计、高可读性、光滑触感和耐用性等特点，是数据可视化的理想选择

近日，EDN小编从中国科学技术大学官网获悉，该校郭光灿院士团队在硅基半导体量子计算研究中取得重要进展，在硅基锗量子点中实现了自旋量子比特操控速率的电场调控，以及自旋翻转速率超过1.2 GHz的自旋量子比特超快操控，该速率是国际上半导体量子点体系中已报道的最高值。

制造商在生产高质量SiC衬底时面临着多重挑战。

对用于高频车载充电器的混合双向PFC的分析突出了GaN和SiC等宽禁带半导体在高频工作中带来的优势。

互动性的演示将突出EliteSiC技术在汽车和工业领域的应用

不正确的接地会在数据记录、数据采集以及测量和控制系统中产生问题。

5月3日，初创公司NEO Semiconductor宣布推出其突破性技术3D X-DRAM，该技术可以生产230层的128Gb(16GB) DRAM芯片，是当前DRAM密度的八倍。这是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。

近日，美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维(2D)过渡金属二硫化物(TMD)材料层，以实现更密集的集成。

在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前，应对其可靠性和鲁棒性进行评估。本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开，以便更好地理解系统设计的权衡，以提高效率和可靠性。

智能产线物流技术能够从四个方面进一步推动工业制造业转型，实现产业升级。 

Eggtronic的技术解决了传统无线充电中出现的效率挑战。