在本文中，介绍了一种任意波形发生器(AWG)设计，该设计利用具有八电平飞跨电容的飞跨电容多电平(FCML)变换器。

AI的作用绝不止于简单的辅助，未来它也许能帮助我们解决很多我们从前无法解决的难题，比如找到一种兼顾安全性、易操作性、经济性和准确性的神经退行性疾病早期预测或诊断方法。

若设计者需求高质量的供电，又要节省电路板空间，PMIC就成为相当好的解决办法。本文将阐述PMIC如何导入图像传感器的应用，以及导入后的效果。

虽然眼镜没能做成，Mojo Vision在MicroLED显示技术上却实实在在的得到了积累。Mojo Lens搭载的就是一枚直径仅0.5mm的MicroLED，且像素密度做到了14000PPI，号称全球最高密度的MicroLED显示器。而目前Mojo Vision更新网站，称其技术可达到28000PPI。

采用14mm x 14mm FBGA封装的AS5911是系统级封装解决方案，可对256个光电二极管输出进行电流数字转换；1.25mW的每通道功耗最大限度地减少了CT探测器的自热，降低了热管理要求；出色的功率噪声比性能有助于下一代CT扫描仪实现更高成像质量；AS5911 ADC将在下一代高性能医疗CT扫描仪和安检机中发挥关键作用，这些设备要求优异性能并降低复杂性。

2月6日，工业和信息化部公布了《关于电信设备进网许可制度若干改革举措的通告》。

东国大学的研究人员设计并合成了一种新型混合复合电极材料，可显著提高用于混合动力电动汽车(HEV)的超级电容器的性能。该复合电极由粉刷在氧化石墨烯(CCS@GO)上的硒化钴纳米棒-硒化铜多面体组成，具有“前所未有”的电化学性能。

回收、恢复原状和再利用电池及其先进的配方，比起在纸张等更简单的产品上进行同样的事情，当然是更困难得多了，甚至是非常复杂的..

机器人多方面任务的安全和精确控制是由一套传感器来实现的，例如碰撞检测、避障和导航。

Wolfspeed于今日宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的 200mm 晶圆制造工厂。

GaN技术距离其理论性能极限还有30倍的差距，因此仍有空间开发更好的GaN芯片。为了充分利用晶体管，设计工程师必须专注于智能拓扑、布局和热管理，而不是使用GaN的原始功率...

据科技日报消息，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员将低功耗芯片设计、机器学习算法和柔性植入式电极相结合，制作出一种神经接口，可识别和抑制各种神经系统疾病症状。研究成果近日发表在《IEEE固态电路》杂志上。

GaN和SiC都是新技术，而且正迅速带来多样化应用和设计创新。GaN和SiC器件正在形成特定市场，同时，在这些WBG技术之间也存在着部分的市场重叠...

据中国电信研究院官方最新消息，由中国电信研发的5G扩展型小基站国产化pRRU也已经研发成功，芯片和器件国产化率达到100%，实现了小基站产品国产化研发的首个里程碑，推动了小基站设备国产芯片的应用和发展。