单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。

2020年，江波龙电子旗下行业类品牌FORESEE发布车规级eMMC，并通过AEC-Q100验证，成为国内为数不多通过AEC-Q100验证的存储品牌之一。

宏芯宇自主研发的全球首颗40nm的USB接口存储控制芯片HG2319，采用USB3.0技术，实现了闪存存储速度创新，一举将速度提升10倍，满足了人们高速传送高品质影像档案的速度要求，省电节能、更高兼容性、成本更低。采用BCH 90 Bit ECC纠错引擎，相比同业采用的72bit更加强化存储容错率，等同于增加闪存盘产品稳定性与寿命，透过领先的研发技术，HG2319目前是同业产品中最小面积的设计，成本领先同业。

核心控制芯片是基于软硬件协同设计理念设计开发的ASIC，立足于企业级数据完整性保障、闪存管理和性能聚合等核心技术，集成了大量专用计算加速单元。DERA自研主控芯片搭配基于Xtacking架构的YMTC企业级高速64-layer 3D TLC闪存颗粒，在协同设计的FTL管理软件的高效调度下，DERA D5427 NVMe SSD实现了高可靠、高性能的数据存储功能。

InnoGrit Rainier QX IG5220是一款业界领先的高性能DRAMless PCIe固态硬盘控制器。

ICMAX通过DDR4多样的产品形态，较高的时钟频率更高的数据带宽，提供符合JEDEC规范的高品质DDR颗粒产品，服务多样的终端产品需求。 广泛使用于电子设备中，比如电视、机顶盒、OTT、平板、POE、BD播放器等。

可使用sub-mW级功耗完成大规模深度学习运算，特别适合可穿戴设备中的智能语音和智能健康服务

英飞凌发布了针对屡获殊荣的SEMPER NOR Flash系列产品的全新开发工具——SEMPER解决方案中心。

本文比较了美光、三星和 SK 海力士的 DDR4-3200 和 DDR5-4800 芯片的 DDR5 芯片尺寸、存储密度、DRAM 单元尺寸和设计规则。

DDR5带来了一系列全新的挑战，在实现和检验时必须克服这些挑战。更高的数据速率会扩大要求的测试设备带宽，要求新的流程来测量之前的方法测量不了的抖动，要求接收机均衡形式的全新DDR单元，甚至要引入新的采用夹具的标准化测试，这些都是DDR5验证面临的重大挑战。

突破性技术为客户端应用呈现全球首款2TB容量2230规格SSD

增加电路密度而不必移动到新技术节点的优势使得垂直扩展成为半导体行业的强大驱动力。但它也有一系列挑战，其中关键的挑战便是刻蚀能力。

要从宝贵的数据中获取价值和洞察，人工智能（AI）工作负载的发展是关键所在。因此，企业越来越注重构建能够帮助他们满足这些需求的基础设施——无论在本地、智能边缘，还是在云上，以进一步提高效率和扩大规模。上述条件为云服务提供商创造了难得的机会。

近日，三星在官网上线了Exynos2200，据悉，这是三星与 AMD合作的第一款产品。但三星目前只发布了 Exynos 2200 的部分规格。就在三星发布新款SoC几个小时后，就已经有外媒放出了据称是来自于某款搭载Exynos2200三星手机的跑分成绩。此外，我们将Exynos 2200 对比高通骁龙8 Gen 1、联发科天玑9000，看这三款芯片具体有哪些差异。

ScaleFlux CSD 2000，利用Supermicro FatTwin服务器构建高效的计算存储集群