从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。

对于所有全新开发的物联网设备来说，采取应对措施防止非易失性存储器的非授权修改，已成为一项基本的设计要求。

虽然我们可以享受到这些AI应用带来的益处，但这种方法导致隐私、功耗、延时和成本等诸多因素面临挑战。如果有一个能够在数据来源处执行部分或全部计算（推断）的本地处理引擎，那么这些问题即可迎刃而解。传统数字神经网络的存储器功耗存在瓶颈，难以实现这一目标。

装置制造商究竟要先为5G网络推出准备就绪的硬件？还是最好等到5G被广泛采用之后？

尽管可变电阻式内存(ReRAM)潜力巨大，但至今尚未投入量产。ReRAM是“新兴”内存的代表，它们大多都还处于研发阶段…

电阻式RAM (ReRAM)是“新兴”存储器的代表，目前大多还处于研发阶段。许多小公司(如Cross ba r和Weebit Nano)致力于将其商业化，法国CEA Tech公司旗下的LETI技术研究所进行了大量研究工作，DRAM制造商也开始涉足其中。尽管每个能提供MRAM的代工厂都具有一定的ReRAM生产能力，目前却没有人急于拿出产品来。

自动驾驶汽车的问世将极大地改变我们的出行习惯，并在交通运输行业掀起一场迅猛的变革。汽车行业的数字化转型将带来很多社会效益，例如减少事故、降低碳排放、改善交通流量、降低汽车拥有成本、降低保险费用以及提高燃油效率和出行能力。

Achronix Speedster7t FPGA如何运用GDDR6满足下一代网络产品的高带宽需求

钰创科技(Etron Technology)为传统DRAM另辟新架构，透过低接脚数的RPC DRAM寻找边缘IoT应用机会；Lattice也看好其发展潜力…

美光昨日宣布已交付全球首款量产的低功耗DDR5 DRAM 芯片，并将率先搭载于即将上市的小米10智能手机。

企业与云端服务器领域将率先推动对于DDR5的需求。由于DDR5倍增了内存密度，能够满足数据中心对于日益增加的处理器核心数、内存带宽与容量等需求…

本文概述了当前新兴的硅3D集成技术，讨论了图像传感器、光子器件、MEMS、Wide I/O存储器和布局先进逻辑电路的硅中介层，围绕3D平台性能评估，重点介绍硅3D封装的主要挑战和技术发展。

三星电子、美光科技和业界其他公司持续迈向可持续发展的低碳内存之路…

2019年12月31号三星华城厂区发生跳电，虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响，但TrendForce观察到各产品别买方备货意愿进一步增强…

东京工业大学（Tokyo Tech）的科学家们报告了一种新的材料组合，它为基于自旋的磁性随机存取存储器（RAM）奠定了基础。这项创新可能会让目前的存储设备取得巨大进步。