数据速率提高到 7200 MT/秒，内存带宽比目前的第一代 DDR5 设备提高了 50%；扩大在服务器主内存中关键内存接口芯片解决方案领域的领先地位；支持针对生成式人工智能和其他高级数据中心工作负载的服务器性能加速路线图

这种弦由陶瓷和半导体材料制成，每根弦通常长30-50μm，宽不到100nm，需要在洁净室中进行生产，依靠电子束光刻技术在硅片上一层一层地制造···

大脑的结构与数字计算机有着本质上的不同，在数字计算机中，数据需要在微处理器和内存之间来回移动，这会消耗大量能量，并在多任务处理时遇到瓶颈，而在大脑中，记忆和信息处理位于同一位置，可以将能量效率提高几个数量级···

铠侠宣布已经开始大规模生产2TB microSDXC存储卡，这对于智能手机用户、内容创作者和移动游戏玩家来说是一项突破性的进展。

当谈到示波器时，带宽、采样率和存储深度一直被认为是三个最重要的规格。存储深度决定了可以捕获和存储以供分析的波形数据量。更大的存储深度允许捕获更长的持续时间并保留更多的波形细节。这在分析复杂或间歇性信号、捕获罕见事件或执行深入分析和故障排除时特别有用。

每个开放标准如果想被广泛采用，都需要一个强大的生态系统，其中包括测试和验证功能。正如供应商围绕快速发展的计算快速链路(CXL)规范联合起来发布各种产品一样，厂商也纷纷提供工具来帮助确保这些产品可靠运行并相互兼容。

凭借NVIDIA DGX BasePOD认证扩展企业AI解决方案，Pure Storage提供简捷而高效的AI就绪型存储基础设施

铠侠株式会社于近日发布了EXCERIA PLUS极至光速G2 NVMe SSD的升级版本——EXCERIA PLUS极至光速G3 NVMe SSD。

美光3500是全球首款采用200+层NAND技术的高性能客户端SSD

为增强AI/ML及其他高级数据中心工作负载打造的 Rambus 高性能内存 IP产品组合；高达9.6 Gbps的数据速率，支持HBM3内存标准的未来演进；实现业界领先的1.2 TB/s以上内存吞吐量

利用7x PCIe、DDR5和第12/13代Intel Core处理器，加速工业自动化应用

科学家们开发出了创新性的超分子忆阻器纳米RRAM，展示了快速电阻切换和非易失性存储能力。这一突破为先进的数据存储技术铺平了道路，标志着在满足大数据和人工智能时代的需求方面迈出了重要一步。

长鑫存储面向中高端移动设备市场，正式推出LPDDR5系列产品，成为国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌，不仅进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局，更实现了国内市场零的突破。

这项技术来自于德国初创公司Cerabyte，这家公司利用一种在陶瓷镀膜玻璃的陶瓷物质层上创建微孔的技术，来实现这一目标···

写字楼、工厂车间和汽车中，软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如，使用智能锁取代机械锁后，用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制，同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下，人们对存储器的要求不断提高，这一挑战不容忽视。