Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性

又到了一年一度的盘点时刻，本文盘点汽车领域。

这种弦由陶瓷和半导体材料制成，每根弦通常长30-50μm，宽不到100nm，需要在洁净室中进行生产，依靠电子束光刻技术在硅片上一层一层地制造···

意法半导体与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。

大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片的2KW PSU服务器电源方案。

人们普遍认为，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的内在可靠性至少与硅一样好。然而，这些宽禁带器件的失效模式可能不同，这使得硅失效模型对于可靠性预测目的无效。

如何能在电源体积做得更小的情况下，依然能够保证最好的性能？

消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向USB Type-C充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。

意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。

最近，美国中佛罗里达大学的研究团队开发出了一种通过调制振荡电路频率来检测光子的新方法，为超灵敏的光子检测铺平了道路，这种基于调频的方法可用于创建低成本且高效的非制冷红外探测器和成像系统···

适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器

最近，来自意大利国家研究委员会微电子与微系统研究所(CNR-IMM)的研究团队介绍了一种利用纤维素衍生物来作为柔性电子产品制造基材的新方法，可应用于可穿戴设备、生物医学传感器和可食用电子产品···

专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用