据美国北卡罗来纳州立大学官网消息，该校的研究团队近期开发出了一种高导电性的金属凝胶，可用于在室温下打印三维固体物体，这项技术为制造各种电子元件和设备打开了新的大门。相关研究成果以“Metallic Gels for Conductive 3D and 4D Printing”为题发表在《Matter》杂志上。

7月4日，丰田公司表示，已经在电池技术上取得了重大突破，能够将电池的重量、体积和成本减半，这可能为电动汽车的进步带来巨大的推动力。

丰富的高性能特种聚合物和化学品，满足制造商在半导体工艺中的各种需求。

据剑桥大学官网消息，该校研究人员开发出了一种新型的存储器——电阻式开关存储器，这是一种以与人类大脑突触类似的方式处理数据的存储器，它能够创建一系列的连续状态，而不是将信息以“0”或“1”来进行存储，这种存储器密度更大、性能更高且能耗更低。

埃万特集团扩充了旗下reSound BIO生物基及reSound REC含回收成分热塑性弹性体（TPE）产品组合，推出了全新的含有回收成分和生物基树脂的新款无卤阻燃（HFFR）等级产品。

在更高开关频率的应用中，基于SiC的组件相比IGBT组件更具优势。SiC技术还为800V电池的开发提供了设计优势。它可以缩小OBC系统的尺寸并提高“从发电到驱动”的整体效率。

韩国浦项科技大学最新开发了一项突破性技术，可将锂离子电池的存储容量提高到理论极限的约1.5倍，从而使电动汽车能够在短短6分钟内充满电。

英凯宣布推出最新产品UF 120HA。这种创新的封装材料专为大量快捷制造提供快速流动和低温固化，并且100%兼容所有免洗焊锡残留物。

就在几年前，GaN还被认为是一种无用的半导体，这主要是因为GaN是一种非常不完美的晶体。因此，科学家和工程师克服了重重困难，才使GaN可用于各种应用。本文将介绍GaN技术的起源，让我们来先睹为快。

在本教程中，我们将分析SiC/GaN二极管的击穿现象、器件的稳压以及SiC二极管与Ge二极管串联的电路的行为。

在本教程中，我们将分析基于宽禁带的半波整流器，研究WBG二极管的温度，并研究温度对工作点的影响(偏移)。

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案

有证据表明，GaN晶体管可以满足现代和未来数据中心的需求，同时让能源使用得到进步。

英凯高级材料有限责任公司(YINCAE)很高兴宣布已开发出DA158N固芯材料，这是一种导热和电气绝缘粘合剂.可在低温下快速固化。DA158N的开发为人类在火星上居住提供了材料准备。

在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。