英凯宣布推出最新产品UF 120HA。这种创新的封装材料专为大量快捷制造提供快速流动和低温固化，并且100%兼容所有免洗焊锡残留物。

就在几年前，GaN还被认为是一种无用的半导体，这主要是因为GaN是一种非常不完美的晶体。因此，科学家和工程师克服了重重困难，才使GaN可用于各种应用。本文将介绍GaN技术的起源，让我们来先睹为快。

在本教程中，我们将分析SiC/GaN二极管的击穿现象、器件的稳压以及SiC二极管与Ge二极管串联的电路的行为。

在本教程中，我们将分析基于宽禁带的半波整流器，研究WBG二极管的温度，并研究温度对工作点的影响(偏移)。

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案

有证据表明，GaN晶体管可以满足现代和未来数据中心的需求，同时让能源使用得到进步。

英凯高级材料有限责任公司(YINCAE)很高兴宣布已开发出DA158N固芯材料，这是一种导热和电气绝缘粘合剂.可在低温下快速固化。DA158N的开发为人类在火星上居住提供了材料准备。

在高功率应用中，碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。

在设计USB PD适配器和充电器时，要满足COC V5 Tier2 等最新的能效标准，并考虑小型化设计以配合移动便携式设备等轻薄短小但功能丰富多样的趋势。

在由AspenCore主办的2023国际AIoT生态发展大会的智能网联汽车分论坛上，深圳基本半导体有限公司器件研发总监张学强发表了“未来已来——功率半导体的碳化硅时代”主题演讲。

“这是我们两年来在大面积电池上创造的第二个世界纪录，标志着我们技术的又一个里程碑。”牛津光伏首席执行官David Ward表示。

本电路中的MOSFET可以在恒温电路中用作加热器和温度传感器。该电路可用作培养皿中某些生物结构的微型恒温器，其他用途则可能包括塑料切割/焊接、电子元器件恒温，甚至软焊接。

新一代针对数字设计占比高的车规级工艺

在本文中，我们将重点介绍实时可变栅极驱动强度的技术优势，这项新功能可让设计人员优化系统参数，例如效率（影响电动汽车行驶里程）和 SiC 过冲（影响可靠性）。

在进行电动汽车高压电源以及电驱动设计时，工程师有四大目标：第一，希望设计出更高效的牵引逆变器；第二，需要提高功率密度；第三，需要设计出高可靠性的系统；第四，需要降低系统复杂度。