Diodes推出碳化硅(SiC)系列最新产品：DMWS120H100SM4 N通道碳化硅MOSFET。

随着电气化的普及，半导体创新使我们能够与电动汽车、可再生能源和其他高压系统安全可靠地进行交互。

从中国科学技术大学官网获悉，该校国家同步辐射实验室宋礼教授团队基于插层型锌离子电池正极材料的同步辐射谱学表征，提出了插层剂诱导Vt2g轨道占据的概念，开发了具有快速充电性能的铵根插层五氧化二钒锌离子电池正极材料。

D类音频放大器是氮化镓(GaN)增强型HEMT器件最有前途但同时探索较少的应用领域之一。本文将深入探讨在D类音响中，GaN功率器件在性能、效率和音质方面，如何优于目前可用的硅基MOSFET。

近日，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员团队研发出10nm超短沟道弹道二维硒化铟(InSe)晶体管，这是世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管，其实际性能超过Intel商用10nm节点的硅基Fin晶体管，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5V。

Power Electronics News探讨了在涉及高压的应用中优化宽禁带半导体使用的方法。

高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。

本文介绍了电源适配器市场趋势和预测，包括USB、无线和GaN基的充电器。

在3月29日和3月30日，由电子工程领域全球领先的技术媒体机构AspenCore主办的2023国际集成电路展览会暨研讨会(IIC)上海展会活动现场，汇聚了众多国内外优质展商，EDN小编在现场参观走访时，也发现不少的国产厂商都提到了“国产化”，就让我们一起来看看这些国产厂商在这条路上做了哪些努力，又是怎样推动了国产化的全速“狂飙”。

在由AspenCore主办的“第二届‘碳中和’暨绿色能源电子产业可持续发展高峰论坛”上，意法半导体（ST）亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁Francesco Muggeri（沐杰励）发表了“创新技术如何为可持续发展的世界做出贡献”的主题演讲。

针对听障人士和跨语言交流人士的沟通需求，北京亮亮视野科技有限公司推出了一项尖端技术——可以将语音转为文字并实时显示的AR眼镜。

拜登总统在致辞中指出政府项目旨在促进美国经济增长，包括投资 Wolfspeed 这类半导体制造商

透明天线是天线领域的一个全新发展方向，凭借其视觉透明的效果，成为了基站天线美化的重要方法之一。

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以“连接与电源——新主题、新Qorvo”的媒体活动。通过此次活动，Qorvo旨在向业内介绍Qorvo在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向电源、物联网和汽车等领域的最新进展。

代尔夫特理工大学的物理学家首次将两项获得诺贝尔奖的技术结合起来，在微芯片上构建了一项新技术。这种微芯片可以高精度地测量材料中的距离，例如在水下或用于医学成像。由于该技术使用声音振动而不是光，因此可用于不透明材料的高精度位置测量。