以往，功率转换器效率的提高是难以实现和测量的。SiC FET则能保证让所有设计都能得到提高。

SiC和GaN最终将如何发展？SiC功率器件制造商们预计电动汽车市场会达到数十亿美元。GaN会获得同样的成功吗？OEM厂商在动力总成系统逆变器中广泛采用GaN，将从根本上影响市场预测结果。

近日，同济大学吴庆生教授领衔的团队受蚕丝的启发，通过模仿喷丝作茧，改进仿生高分子静电纺丝。他表示：“我们这个团队最近设计制备出一种可承受 100 万次无损真折叠的导电材料，实现了导电超折叠材料的突破。它的出现为研发超折叠电子设备带来了曙光。”

作为半导体制造业的关键参与者，业界领先的ALD设备制造商和服务商青岛四方思锐智能技术有限公司日前重磅亮相2021年中国集成电路制造年会（CICD），向业界展示了ALD技术在功率半导体制造环节的创新应用，共同探讨新开局新挑战下的行业发展新机遇。

由忱芯科技（UniSiC）主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开，横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会，围绕宽禁带半导体卡脖子关键技术难题分享观点，展开讨论。值此盛会，泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟，双方将深度整合资源，优势互补，围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作，为客户解决宽禁带半导体测试挑战。

增加GaNSense技术，全新GaNFast氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性

对于GaN功率器件的制造商而言，扩充产能是当前的重中之重。对此，思锐智能推出了业界领先的量产型ALD沉积设备——Beneq Transform™系列，凭借成熟、稳定的多片沉积工艺，能够为高端应用的行业客户提供卓越的沉积镀膜生产效率，以及传统工艺无法企及的镀膜均匀性、纳米级膜厚精准控制等优势，进而助力产能扩充的需求。

近日，一种可以有效防止电动汽车起火的全新汽车电池新材料引起了行业的关注。据悉，这是一种不燃烧、不熔化和自熄的新型热塑性塑料，该产品不仅符合中国市场对电动车电池组的严格要求，还能解决困扰电池的安全问题。

Power Integrations的InnoSwitch4-CZ/ClampZero芯片组使设计者能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计高达110W的超高密度充电器，这些设计在以前是无法实现的。

目前碳化硅功率晶体的发展主要在于几个方向：1.降低单位晶粒面积下的通态电阻；2.提高功率晶体门极可靠度3.在不影响驱动位准的大前提下降低驱动电压位准。

为了实现在图腾柱PFC使用常见的开关器件，本文介绍预充电电路的解决方案。 相较采用宽禁带半导体，此方案的功率半导体器件较普遍且容易取得，提供给使用者做为设计参考。

沙特基础工业公司（SABIC）四位新闻发言人介绍了该公司面向5G（毫米波）市场的特材产品，并就时下热门的电动汽车/自动驾驶、碳达峰/碳中和等话题介绍了该公司的特材业务和技术的发展。

大多数空间光调制器都依靠机械运动部件来实现这种控制，但这种方法会导致光学设备体积庞大且速度缓慢。现在，哈佛大学的研究人员约翰·A·保尔森工程与应用科学学院的研究人员以及华盛顿大学的一个团队合作，开发了一种简单的空间光调制器……

相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。

在电力电子领域，工程师一直以来有着6大诉求：更优秀的性能、更高的能效、更好的成本、更强的鲁棒性、更多的设计裕量，以及设计灵活性。