纳微半导体介绍了使用GaNSense技术的新一代GaNFast氮化镓功率芯片。同时，也针对“氮化镓是鸡肋”的观点进行了反驳。

派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。

SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET的区别之一是驱动电压不同，传统Si MOSFET驱动只要单电源正电压即可，而SiC MOSFET需要单电源正负压驱动。SiC MOSFET要替代Si MOSFET，就要解决负压电路如何实现的问题。

派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。

因”二本、Nature、第一学历“这三个非常夺人眼球的关键词，林克斌博士一下子成为大家热议的主角。EDN小编发现网友在讨论“第一学历”到底重不重要时，很多网友表示林克斌连发两篇nature正刊除了努力之外，还有很大一部分靠的是运气好遇到了好导师，将课题送上了门……

全新单片微波集成电路（MMIC）和分立器件，可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求

奖项认可安森美的创新技术和行业领先地位

以往，功率转换器效率的提高是难以实现和测量的。SiC FET则能保证让所有设计都能得到提高。

SiC和GaN最终将如何发展？SiC功率器件制造商们预计电动汽车市场会达到数十亿美元。GaN会获得同样的成功吗？OEM厂商在动力总成系统逆变器中广泛采用GaN，将从根本上影响市场预测结果。

近日，同济大学吴庆生教授领衔的团队受蚕丝的启发，通过模仿喷丝作茧，改进仿生高分子静电纺丝。他表示：“我们这个团队最近设计制备出一种可承受 100 万次无损真折叠的导电材料，实现了导电超折叠材料的突破。它的出现为研发超折叠电子设备带来了曙光。”

作为半导体制造业的关键参与者，业界领先的ALD设备制造商和服务商青岛四方思锐智能技术有限公司日前重磅亮相2021年中国集成电路制造年会（CICD），向业界展示了ALD技术在功率半导体制造环节的创新应用，共同探讨新开局新挑战下的行业发展新机遇。

由忱芯科技（UniSiC）主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开，横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会，围绕宽禁带半导体卡脖子关键技术难题分享观点，展开讨论。值此盛会，泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟，双方将深度整合资源，优势互补，围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作，为客户解决宽禁带半导体测试挑战。

增加GaNSense技术，全新GaNFast氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性

对于GaN功率器件的制造商而言，扩充产能是当前的重中之重。对此，思锐智能推出了业界领先的量产型ALD沉积设备——Beneq Transform™系列，凭借成熟、稳定的多片沉积工艺，能够为高端应用的行业客户提供卓越的沉积镀膜生产效率，以及传统工艺无法企及的镀膜均匀性、纳米级膜厚精准控制等优势，进而助力产能扩充的需求。

近日，一种可以有效防止电动汽车起火的全新汽车电池新材料引起了行业的关注。据悉，这是一种不燃烧、不熔化和自熄的新型热塑性塑料，该产品不仅符合中国市场对电动车电池组的严格要求，还能解决困扰电池的安全问题。