Power Integrations的InnoSwitch4-CZ/ClampZero芯片组使设计者能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计高达110W的超高密度充电器，这些设计在以前是无法实现的。

目前碳化硅功率晶体的发展主要在于几个方向：1.降低单位晶粒面积下的通态电阻；2.提高功率晶体门极可靠度3.在不影响驱动位准的大前提下降低驱动电压位准。

为了实现在图腾柱PFC使用常见的开关器件，本文介绍预充电电路的解决方案。 相较采用宽禁带半导体，此方案的功率半导体器件较普遍且容易取得，提供给使用者做为设计参考。

沙特基础工业公司（SABIC）四位新闻发言人介绍了该公司面向5G（毫米波）市场的特材产品，并就时下热门的电动汽车/自动驾驶、碳达峰/碳中和等话题介绍了该公司的特材业务和技术的发展。

大多数空间光调制器都依靠机械运动部件来实现这种控制，但这种方法会导致光学设备体积庞大且速度缓慢。现在，哈佛大学的研究人员约翰·A·保尔森工程与应用科学学院的研究人员以及华盛顿大学的一个团队合作，开发了一种简单的空间光调制器……

相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。

在电力电子领域，工程师一直以来有着6大诉求：更优秀的性能、更高的能效、更好的成本、更强的鲁棒性、更多的设计裕量，以及设计灵活性。

泰克科技日前为吉时利S530系列参数测试系统发布了KTE V7.1软件，在全球市场最需要的时候帮助加速半导体芯片制造进程。

GaN在汽车上的应用可能如Yole所预期的一样，在将来的2-3年落地。从2021年开始，随着大多数车企开始准备800V系统，SiC的用量马上要进入爆发期，接下来的GaN的使用估计很快能在DCDC和OBC上看得到。

未来汽车一定会采用800V电压平台。800V电压平台可以带来重量更轻、体积更小、效率更高的好处，而其中不管是电池的充放电还是电机驱动，都会用到功率器件，尤其是碳化硅。

该化学品安全性更强，可确保凸块下金属化层表面形态光滑，厚度均匀一致

TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本

英飞凌科技股份公司今日宣布，其位于奥地利菲拉赫的300毫米薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营。

9月15日，在由临港集团主办、ASPENCORE承办的第二届中国（上海）自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛上，瑞能半导体首席战略和业务运营官沈鑫分享了“理想照进现实，拥抱第三代半导体新纪元”的主题演讲。

9月15日，在由临港集团主办、ASPENCORE承办的第二届中国（上海）自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛上，北京华大九天科技股份有限公司董事长刘伟平通过视频方式分享了“自主EDA发展之路——化合物半导体解决方案”的主题演讲。