英飞凌科技股份公司今日宣布，其位于奥地利菲拉赫的300毫米薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营。

9月15日，在由临港集团主办、ASPENCORE承办的第二届中国（上海）自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛上，瑞能半导体首席战略和业务运营官沈鑫分享了“理想照进现实，拥抱第三代半导体新纪元”的主题演讲。

9月15日，在由临港集团主办、ASPENCORE承办的第二届中国（上海）自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛上，北京华大九天科技股份有限公司董事长刘伟平通过视频方式分享了“自主EDA发展之路——化合物半导体解决方案”的主题演讲。

对于非常低的功率，有可能采用线路频率电感器进行“无源”校正，但对于几十瓦以上的功率，这成本太高，且又大又重。更高功率的解决方案是通过以更高频率开关电流，并使用正弦线路电压波形的模拟来调制脉冲宽度，以主动强制线电流遵循施加的电压波形。

新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性

碳化硅功率器件设计及方案商派恩杰半导体（杭州）有限公司官方消息称，继创东方投资、天际资本后再获湖杉资本数千万Pre-A轮融资，本次融资资金将用于更高电压平台功率器件产品的研发和全球市场的布局。

SiC & GaN功率器件设计和方案商派恩杰官方正式宣告与德国Foxy Power合作组建欧洲&北美销售团队。

开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件

本系列文章将谈论直流充电器的开发过程，在每一部分探讨不同的主题。将聚焦所面临的关键挑战、权衡和妥协，并展示如何从头设计、构建和验证这样的系统。在第一部分中，将描述快速电动车充电器的结构，并定义其关键电气规格。

如何选择薄膜沉积设备、使之匹配不断发展的宽禁带半导体制造工艺需求，是横亘在众多第三代半导体厂商面前的一道难题。

日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。

​​​​​​​基于VisIC的车规级D3GaN氮化镓功率器件，为高功率车载充电机应用提供最佳性能及性价比解决方案

在运行基于 3D XNOR 阵列的二元神经网络的一系列模拟中，研究人员创建的逻辑电路实现了每瓦每秒 622.35 兆次操作的能效和 7.31 毫瓦的功耗。未来，这组研究人员设计的神经电阻器和逻辑门因此可用于开发更小、更高效且功耗更低的神经形态计算芯片。

加州大学洛杉矶分校的工程师日前表示，将一种新型半导体材料成功集成到高功率计算机芯片中，以减少处理器的热量并提高其性能。这一进步极大地提高了计算机的能源效率，并且能够去除目前可用的最佳热管理设备之外的热量。