如何选择薄膜沉积设备、使之匹配不断发展的宽禁带半导体制造工艺需求，是横亘在众多第三代半导体厂商面前的一道难题。

日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。

​​​​​​​基于VisIC的车规级D3GaN氮化镓功率器件，为高功率车载充电机应用提供最佳性能及性价比解决方案

在运行基于 3D XNOR 阵列的二元神经网络的一系列模拟中，研究人员创建的逻辑电路实现了每瓦每秒 622.35 兆次操作的能效和 7.31 毫瓦的功耗。未来，这组研究人员设计的神经电阻器和逻辑门因此可用于开发更小、更高效且功耗更低的神经形态计算芯片。

加州大学洛杉矶分校的工程师日前表示，将一种新型半导体材料成功集成到高功率计算机芯片中，以减少处理器的热量并提高其性能。这一进步极大地提高了计算机的能源效率，并且能够去除目前可用的最佳热管理设备之外的热量。

2016 年诺贝尔物理学奖的材料可能成为未来计算机和消费电子产品的逻辑。

增材制造（3D打印）在高频RF中的潜在优势引起了大学和企业研究人员的广泛关注。他们正在探索和利用AM来制造外形更小、性能更好的器件，希望利用AM来制造一些使用常规技术无法实现的设计。

基于GaN的芯片已经历了集成的各个阶段，从单纯的分立式器件到单片式半桥器件，再到包含单片集成驱动器的功率FET。最近又发展到单片式电源阶段，集成了功率FET、驱动器、电平转换电路、逻辑模块和保护功能。但是，在实现完整的GaN片上系统解决方案之前，还需要克服一些挑战......

在传统的登纳德缩放比例定律大放异彩的日子里，我们经常想到平面晶体管。MOS和三极管等器件诞生出FinFET技术，将二维平面带入3D时代。但随着传统的FinFET逐渐失去动力，而且未来的器件足够薄，硅这样的传统3D半导体在2D领域效果不佳，使用二维晶体管将是大势所趋。

怎样才能让物联网传感器不易被察觉呢？最好的方式就是将它们嵌入到衬衫、裤子、袜子或鞋子的面料中......

基于GaN的解决方案与数字控制技术相结合可以提高整体效率、缩小尺寸，提供适用于笔记本电脑或超薄显示器的超薄型48 V至20 V电源解决方案。

许多制造商正在寻找新的解决方案（材料），用来克服锂离子（Li-ion）电池中石墨阳极的局限性。新型硅阳极电池技术可以为电池快速充电，有望在5至10分钟内充至其容量的80％以上，还不会损坏电池外形，同时还能将能量密度提升2至3倍。

本文首发于求是缘半导体联盟，作者是莫大康老师。他为大家介绍了什么是半导体设备的子系统，以及为什么要有半导体设备的子系统。

早在2019年9月，小米概念机MIX Alpha上就使用了纳米硅碳负极材质电池，在4050mAh容量的电池上实现了40W有线闪充。相比起第一代硅碳负极，这次小米11 Ultra采用了更为成熟稳定的硅氧负极材质电池，属于小米第二代硅负极电池技术。高能量密度、高寿命、高性能的硅氧负极电池能否带动电池行业迈向新的篇章？

当iPhone12上市的时候，全球的果粉们都在期待着120Hz高刷新率的屏幕，然而，由于采用高通芯片，苹果不得不做出妥协。现在，再度传闻三星在为苹果把OLED生产线转换为LTPO生产线，苹果新机型iPhone 13会搭载120Hz LPTO高刷屏，这次，苹果还会让果粉失望吗？