在2011年，在经过了将近二十年的研发之后，科锐推出了全球首款SiC MOSFET。尽管业界先前曾十分怀疑这是否可能实现。在成功发布之前，普遍的观点是SiC功率晶体管是不可能实现的，因为太多的材料缺陷使其不可行。如今，SiC MOSFET问世10周年，从一开始的不被看好到现在的万众瞩目，SiC MOSFET器件一鸣惊人的背后是几十年如一日的研发奋斗。

【当代材料电学测试课堂】系列涉及当代材料科学尖端的电运输及量子材料/超导材料测试、一维/碳纳米管材料测试、二维材料及石墨烯测试及纳米材料的应用测试。今天跟您分享第三篇，【当代材料电学测试课堂】系列之三： 凝聚态物理中物性表征测试。

材料性质的研究是当代材料科学的重要一环，所谓材料的性质是指对材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料对电、磁、光、热、机械载荷的反应。源表SMU在当代材料科学研究中，起到举足轻重的作用，选择适合某类材料电性能测试的SMU，如何降低测试误差，测试中应当注意什么，这些问题都需要重点关注。泰克吉时利的品牌在全球许多学科工程师和科学家中享有盛誉，其高精度源表（SMU）、万用表、精密电源、微小信号测试以及数据采集产品，同泰克公司原有的产品线一同为当代材料科学研究提供多种测试方案。【当代材料电学测试课堂】系列涉及当代材料科学尖端的电运输及量子材料/超导材料测试、一维/碳纳米管材料测试、二维材料及石墨烯测试及纳米材料的应用测试。今天跟您分享第二篇，【当代材料电学测试课堂】系列之二： 纳米测试（下）。

材料性质的研究是当代材料科学的重要一环，所谓材料的性质是指对材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料对电、磁、光、热、机械载荷的反应。源表SMU在当代材料科学研究中，起到举足轻重的作用，选择适合某类材料电性能测试的SMU，如何降低测试误差，测试中应当注意什么，这些问题都需要重点关注。泰克吉时利的品牌在全球许多学科工程师和科学家中享有盛誉，其高精度源表（SMU）、万用表、精密电源、微小信号测试以及数据采集产品，同泰克公司原有的产品线一同为当代材料科学研究提供多种测试方案。【当代材料电学测试课堂】系列涉及当代材料科学尖端的电运输及量子材料/超导材料测试、一维/碳纳米管材料测试、二维材料及石墨烯测试及纳米材料的应用测试。今天跟您分享第一篇，【当代材料电学测试课堂】系列之一： 纳米测试（上）。

统计数据显示，目前已有数十家主流电源厂商开辟了氮化镓快充产品线，推出的氮化镓快充新品多达数百款。可以预见，2021年氮化镓快充将成为继续引领市场发展的风向标。同时，本文整理了一些2021年极有可能出现的前瞻性发展趋势分享给大家。

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非富勒烯小分子可以促进将有机光伏电池材料用作建筑材料或室内光伏电池材料，相关的有机光探测器（OPD）材料也受到市场青睐，用于实现硅基OPD的混合式应用，这种结合可望提高工作于短波红外（SWIR）频段的硅探测器的敏感度。

最近，莱斯大学的一个研究小组制作并测试了他们称为第一台由外部磁场驱动的能量捕获和转换设备。研究人员利用这种能量来驱动神经刺激器产生不同的波形和模式，用于治疗帕金森氏症、抑郁症、疼痛和强迫症。

阻变存储器（RRAM）因其CMOS工艺兼容性好、微缩能力强、可靠性高等优势，被认为是先进工艺节点上取代e-flash的有力候选者。但其能否集成在10纳米逻辑工艺平台是影响RRAM未来市场的关键因素。

最近，美国和加拿大通过卫星证实了中国人民解放军在中国东部和西部地区均部署了“东风26”中远程弹道导弹。去年，笔者曾草草计算了《东风DF-26B和DF-21D两枚导弹同时击中南海目标的飞行时间和轨迹》，东风26之所以被称为“航母杀手”，是因为其巡航速度快，达到了10马赫以上，这么快的速度在出入大气层必定会产生非常高的温度，那么怎么解决这种高温难题以不至于导弹还未射中目标就像“雪糕”一样融化呢？本文不仅从效应、原理、复合材料，还通过引用“超音速导弹温度场建模与仿真”论文进行了综合介绍。

中国EDA企业芯华章(X-EPIC)日前宣布完成数亿元A+轮融资，由红杉宽带数字产业基金领投，成为资本和熙灏资本参投。过去不到3个月内，高瓴创投、高榕资本分别领投了芯华章Pre-A轮和A轮融资。本轮融资中，高瓴创投、高榕资本、五源资本、大数长青、上海妤涵等老股东继续跟投。本轮资金将继续用于芯华章全球研发人才和跨界研发人才的吸引和激励，加速……

尽管日前思科以26亿美元收购硅光子公司Acacia一案再生变数，且双方争执的理由居然是“是否在合并协议规定的期限内获得中国国家市场监督管理总局(SAMR)的批准”，但不可否认的是，随着摩尔定律脚步的放缓，将光子和集成电路中的电子结合在一起，甚至是用光子替代电子形成“片上光互联”，以实现对现有光模块产业链的重塑，正成为半导体行业数个“颠覆式创新”中的重要方向之一。

在实际的激光雷达系统中，传统的硅器件(例如MOSFET)无法为其激光驱动器实现提供必要的性能。为了增强控制，MOSFET的沟道必须很大，这会导致寄生电容的充电时间过长，从而导致开关频率太低而不满足应用所需。此外，散热管理要达到良好的效果，就需要使用大体积、大重量的散热器。

随着陶瓷贴片电容朝着小型化、大容量的趋势发展，陶瓷电容的规格越来越极限，设计余量也越来越小。近年来，在陶瓷电容选型阶段，用户也越来越关注电容的失效率和寿命。 本文分别介绍了用于评估偶然失效阶段失效率和损耗失效阶段寿命的方法，两种方法同步运用，能够有效对陶瓷电容的可靠性进行综合评估。文章举例计算了某品牌规格为X7S-6.3V-47μF±20%-1210电容的失效率和寿命，结果显示该规格电容在100℃、3.3V条件下偶然失效阶段的失效率为7Fit，此条件下寿命约为8.1年。