为了克服芯片或接面处的热传导接口——热耗散的最大障碍，近来有多种复合材料与技术，包括沉积超薄钻石层，可望大幅缓解这种热阻抗…

电磁频谱是战争领域中争议越来越大的一个话题。电子对抗措施日益复杂，导致探测第五代战斗机变得更加困难，因此，大多数世界主要大国正大力投资到网络战技术，以便未来成为这一领域的主导者……

实施USB PD的一个挑战，是以更高的功率水平提供不同的输出电压，以满足人们迫切需要的快速充电，同时也不会最终用一个能效低、成本高和笨重的适配器。

功率半导体是高效电源转换的重要组成部分。实际上，电源转换系统存在于所有现代电子产品中，其应用包括工业、汽车、消费、医疗或航空航天等。它们主要存在于电源、照明控制和电机驱动器中。

GaN是一种很有前景的适合电子技术应用的衬底材料，未来有望支持多种可能应用开发。半导体行业正专注于研究将GaN与其他类型的衬底材料结合使用，以便在许多细分行业领域获得性能的提升。

通信基础设施的趋势是具有极高的数据速率和尽可能接近零的延迟，5G协议尤其需要一种衬底材料，能够在高频下进行工作，从而确保实现这样的要求。

文章涉及GaN材料的可能应用，尤其是针对5G应用。电子行业有许多重要公司正在大量投资GaN技术。

GaN可以与硅材料结合，开发能够使能5G通信技术的芯片。

氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）具有快速开关性能，有助于提高效率，同时比硅的损耗低。因此，许多电源厂商都想借此在高性能产品上抢占先机。就氮化镓而言，从Gartner技术成熟度曲线上看，这一技术现处于第二次攀升阶段，热潮已过，已经成熟。现在已是非常好的时机来看这类产品和技术了。

这篇系列文章描述了如何利用GaN作为集成电路的衬底材料，用于5G高频应用，以提高5G基础设施中的功率放大器的效率。

增长驱动因素包括对虚拟现实（VR）和增强现实（AR）等低延迟要求设备不断增长的需求，以及对智能手机和平板电脑等现有智能设备的高速连接需求的持续增长。此外，5G还将催生大量新的网络应用，包括自动驾驶和大规模M2M通信，以及关键的物联网应用等。

就非常大的工作频率范围来说，GaN作为一种高性能应用的衬底材料之所以获得成功，是因为业界围绕将GaN基器件与CMOS器件的集成做了大量的研究活动。

集成电路的另一种新兴衬底材料SiC也是“上升之星”，而将GaN与SiC进行对比，前者的优势显而易见。

GaN材料是一种较新的衬底，非常适合高性能的电子应用，特别是在高频方面，比如5G应用。由于这种材料具有优异的性能，因此用GaN器件来设计电子电路会非常有吸引力：利用GaN作为高频功率放大器的衬底，可以为电源管理带来更高的效率并实现更宽的宽带。

GaN（氮化镓）是一种较新的衬底材料，非常适合高性能的电子应用，特别是在高频方面，比如5G应用。本系列文章将分成多个部分，深入探讨这项技术的优势及其研究成果和应用进展。