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新材料
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新材料
GaN:适合5G应用的高频衬底材料(5)
增长驱动因素包括对虚拟现实(VR)和增强现实(AR)等低延迟要求设备不断增长的需求,以及对智能手机和平板电脑等现有智能设备的高速连接需求的持续增长。此外,5G还将催生大量新的网络应用,包括自动驾驶和大规模M2M通信,以及关键的物联网应用等。
Busy Blogger
2018-12-21
模拟/混合信号/RF
模拟/混合信号/RF
GaN:适合5G应用的高频衬底材料(4)
就非常大的工作频率范围来说,GaN作为一种高性能应用的衬底材料之所以获得成功,是因为业界围绕将GaN基器件与CMOS器件的集成做了大量的研究活动。
Busy Blogger
2018-12-20
模拟/混合信号/RF
模拟/混合信号/RF
GaN:适合5G应用的高频衬底材料(3)
集成电路的另一种新兴衬底材料SiC也是“上升之星”,而将GaN与SiC进行对比,前者的优势显而易见。
Busy Blogger
2018-11-21
新材料
分立器件
功率器件
新材料
GaN:适合5G应用的高频衬底材料(2)
GaN材料是一种较新的衬底,非常适合高性能的电子应用,特别是在高频方面,比如5G应用。由于这种材料具有优异的性能,因此用GaN器件来设计电子电路会非常有吸引力:利用GaN作为高频功率放大器的衬底,可以为电源管理带来更高的效率并实现更宽的宽带。
Busy Blogger
2018-11-20
通信
功率器件
新材料
通信
GaN:适合5G应用的高频衬底材料(1)
GaN(氮化镓)是一种较新的衬底材料,非常适合高性能的电子应用,特别是在高频方面,比如5G应用。本系列文章将分成多个部分,深入探讨这项技术的优势及其研究成果和应用进展。
Busy Blogger
2018-11-19
新材料
功率器件
通信
新材料
石墨烯是下一个硅吗?
石墨烯具有非凡的机械特性,包括非常高的比强度。但它的用途超过了结构材料或构件的范畴。其应用广泛,包括电池电极、光学传感器,甚至电光材料。
Bill Schweber
2018-11-22
新材料
传感器/MEMS
医疗电子
新材料
8位专家11句话,带你了解“宽禁带半导体”
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域,包括电力电子,新能源汽车,光伏,机车牵引,以及微波通讯器件等,由于它突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈,被业界一直看好……
赵娟
2018-09-28
产业前沿
汽车电子
新材料
产业前沿
EE人群像:他研究1nm晶体薄膜,还致力于净化饮用水
是电子工程先发现我……因为我小时候触电过很多次!这都是好奇心跟兴趣倾向造成的直接结果,让我想去了解电气与电子装置怎么运作的,而且会去拆解它们并尝试装回去。在那个时候,这似乎是学习科学最快速的方式。
EEWeb
2018-09-14
模拟/混合信号/RF
模拟/混合信号/RF
让假肢感到痛,需要什么样的生物电子黑科技?
疼痛当然不会令人愉悦,但对截肢患者来说,让假肢适当疼痛却是他们长久以来的盼望。为什么需要痛?原来痛感就是一个信号,说,“嘿,小心!”,可以避免假肢损坏。要知道,一些假肢价格超过70,000美元。那么,实现假肢痛感,要用到哪些技术?
廖均
2018-07-05
产业前沿
新材料
传感器/MEMS
产业前沿
氮化镓(GaN)技术推动电源管理不断革新
任何可以直接从电网获得电力的设备(从智能手机充电器到数据中心),或任何可以处理高达数百伏高电压的设备,均可受益于氮化镓等技术,从而提高电源管理系统的效率和规模。
TI
2018-06-28
电源管理
技术实例
新材料
电源管理
在哪些应用领域,SiC有望取代IGBT?
高效智能的能源利用反映到性能上,即更安全、更便捷、更清洁、更高效。要达到这四点,过去20年IGBT交了一份很好的答卷。但是到现在这个阶段,如果要更上一层楼,再有一个质的飞跃,那IGBT已经捉襟见肘了。
赵明灿
2018-06-01
EDN原创
产业前沿
功率器件
EDN原创
ITO out!有机聚合物已进入电容式触摸按键
鉴于触摸应用已经大规模普及开来,构建在ITO基础上的各种技术由于存在固有的不足之处(易碎、柔性差、反光高,并且制成图案的成本高昂),已经推动了对代用材料的探索——这类材料要在降低总应用成本的前提下,提供可接受的光学净度、电阻率,并且便于加工。
Steve Fulton,Molex公司工程经理
2018-04-10
传感器/MEMS
新材料
传感器/MEMS
宜普电源推出40 V氮化镓功率晶体管,比等效MOSFET小型化8倍
宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2049),应用于负载点(POL)转换器、激光雷达(LiDAR)及具低电感的马达驱动器。
2017-12-20
新品
新材料
新品
宜普电源推出比等效MOSFET小型化12倍的GaN晶体管
200 V、25 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可应用于无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器。
2017-06-07
新品
新材料
新品
日本研究人员通过缩小IGBT特征尺寸实现节能
缩小IGBT特征尺寸实现节能,你听说过吗?
Graham Prophet
2017-01-19
制造/工艺/封装
产业前沿
EDN原创
制造/工艺/封装
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