近日，Araya公司的一个团队，利用高密度脑电图(EEG)设备成功地实现了脑机接口操作。他们通过非侵入式脑机接口与ChatGPT结合起来，成果发送了一封Gmail。这意味着，将来它可以用于给患有瘫痪、中风、渐冻症等不能自主生活的人们。

近日，据南京大学官网消息，该校物理学院闻海虎教授团队领衔在全球顶级科研期刊《Nature》(《自然》)上发表了题为“Absence of near-ambient superconductivity in LuH2±xNy（LuH2±xNy在近常压下无超导电性）”的研究论文，否定了美国罗切斯特大学研究团队提出的镥-氢-氮化合物中的室温超导现象。

近日，EDN小编从中国科学技术大学官网获悉，该校郭光灿院士团队在硅基半导体量子计算研究中取得重要进展，在硅基锗量子点中实现了自旋量子比特操控速率的电场调控，以及自旋翻转速率超过1.2 GHz的自旋量子比特超快操控，该速率是国际上半导体量子点体系中已报道的最高值。

5月3日，初创公司NEO Semiconductor宣布推出其突破性技术3D X-DRAM，该技术可以生产230层的128Gb(16GB) DRAM芯片，是当前DRAM密度的八倍。这是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。

4月21日，复旦大学自然语言处理实验室开发的新版MOSS模型正式上线，成为国内首个插件增强的开源对话语言模型。目前，MOSS模型已上线开源，相关代码、数据、模型参数在Github和Hugging Face等平台开放，供科研人员下载。

近日，韩国浦项科技大学与俄罗斯圣彼得堡国立信息技术、机械学与光学研究型大学所组成的研究团队共同开发出一种纳米激子晶体管。经过多年的研发和实验，这项新技术将可以克服当前晶体管技术所面临的局限性，极具前景。该研究工作最近发表在国际纳米研究领域权威期刊《ACS Nano》杂志上。

从中国科学技术大学官网获悉，该校国家同步辐射实验室宋礼教授团队基于插层型锌离子电池正极材料的同步辐射谱学表征，提出了插层剂诱导Vt2g轨道占据的概念，开发了具有快速充电性能的铵根插层五氧化二钒锌离子电池正极材料。

近日，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员团队研发出10nm超短沟道弹道二维硒化铟(InSe)晶体管，这是世界上迄今速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管，其实际性能超过Intel商用10nm节点的硅基Fin晶体管，并且将二维晶体管的工作电压降到0.5V。

近日，美国明尼苏达双城大学研究人员和美国国家标准与技术研究院(NIST)的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。研究论文发表在最近的《先进功能材料》上。

随着业内越来越重视各类系统应用的指令周期，产品功耗也与日俱增，使得本就不易解决的散热问题，变得更加难解。为此，行业内提供了创新的机械结构设计，以更高效的方式排放系统热量...

EDN小编从中国科学技术大学官网获悉，3月14日，该校马骋教授提出了一种新的关于正极材料的技术路线，可以更充分的发挥全固态电池的潜力。该成果以“Li3TiCl6 as ionic conductive and compressible positive electrode active material for all-solid-state lithium-based batteries”为题发表在国际著名学术期刊《Nature Communications》上。

近日，中国科学技术大学潘建伟、徐飞虎等与上海微系统所、济南量子技术研究院、哈尔滨工业大学等单位的科研人员合作，通过发展高保真度集成光子学量子态调控、高计数率超导单光子探测等关键技术，首次在国际上实现百兆比特率的实时量子密钥分发，实验结果将此前的成码率纪录提升一个数量级。

3月7日华为公布了一项名为“充电方法、电子装置及计算机可读存储介质”的专利，申请号为2021110285375，专利显示可以支持有线与无线同时充电。

当地时间3月6日，英国政府公布新的《科学技术框架》，并表示将同时采取一系列新措施，投入3.7亿英镑（1英镑约合1.2美元）支持资金，促进创新投资，吸引世界上最优秀人才。

近日，一项研究声称能够用Stable Diffusion将大脑活动重建为高分辨率、高精确度的图像，在网上掀起轩然大波。