在之前的系列文章中，我们研究了同相放大器的噪声，但是我忽略了反馈网络带来的噪声问题。一位读者向我提出疑问，并希望得到更多详细信息。那么，在图1中R1和R2带来的噪声是多少呢？

截至2020年1月，德国标准化学会(DIN)和德国电气工程师协会 (VDE) V0884-10: 2006-12不再是用于评估电磁和电容电隔离产品的固有绝缘特性和高压性能的有效认证标准。这标志着集成电路（IC）制造商三年过渡期的结束。

随着全球经济向数字化不断迈进，基于云平台的服务需求越来越旺盛，很多公司开始投资新的数据中心。不间断电源(UPS)是其中的关键部分，对于确保数据中心运营的连续性和可靠性至关重要。与传统的硅功率器件和其他方案相比，碳化硅技术可极大提升数据中心的能源效率。

比较器是一个简单的概念-在输入端对两个电压进行比较。输出为高或者低。因此，在转换的过程中为什么存在振荡？

电容一端的条纹代表什么？我发现现在很少有工程师知道电容一端的条纹代表什么，也不知道条纹端和不带条纹端互换带来的不同效果。

放大电路的噪声性能受到输入电阻和反馈电阻Johnson噪声（热噪声）的影响。大多数人似乎都知道电阻会带来噪声，但对于电阻产生噪声的细节却是一头雾水。

其基于刀片电池+磷酸铁锂化学体系能达到的电芯级与电池包级的能量密度，以及其与目前典型的三元电池包的对比。不难看出，基于刀片电池技术，磷酸铁锂电池系统完全可以在能量密度上与现在市面上主流的三元电池相匹敌……

对于低噪声应用来讲，同相放大电路是最常见的，因此我们将主要探讨同相运算放大器。

跨阻放大器（TIA）的输入阻抗是多少呢？无穷大还是零呢？都不是，究竟是多少？

PN节的反向偏置漏电流有很强的正温度系数，每升高10℃,漏电流大约增大一倍。 在figure1归一化曲线中可以看出，这种指数增长使得漏电流快速增加。到125℃时， 漏电流相对室温下增长了约1000倍。

IGBT和功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件，栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极。

对于离线电源来说，反激拓扑是一种合理的解决方案。但是，如果设计的终端应用不需要隔离，那么与之相比，离线倒置降压拓扑具有更高的效率，并且BOM数量更少。这篇电源设计的文章，将会探讨倒置降压对于小功率AC/DC转换的优势。

早前概述的一种极性保护电路，可以将电池正确连接到负载，而不论电池在其底座中的方向如何。这个电路可以工作，但存在一些缺点。它的电源电压范围有一定的局限(1.8~5.5V)，并且内部电阻略高，因此只能用于电流负荷不超过30mA的产品。幸运的是，由于MOSFET技术的一些重大进步，现在可以克服这些局限。

许多教材和参考指南将运算放大器（运放）定义为可以执行各种功能或操作（如放大、加法和减法）的专用集成电路（IC）。虽然我同意这个定义，但仍需注重芯片的输入引脚的电压。

能量采集”一直是备受关注的热门话题，除了在许多应用中极具实用性、能以微小功率运作，还拥有“不劳而获”的吸引力。但是，能量采集的基本概念并不是什么新鲜事…