鉴于功率元件领域的竞争不断加剧，到2013年中期将有6个左右的GaN、Si和SiC供应商会披露有关工艺改进、新型架构，以及会给行业带来新选择和新工具的最新能力。本文将探讨一些这样的公司和技术。

意法半导体（ST）发布最新功率技术，让工业设备和基础设施更加节能环保.全新功率晶体管系列采用先进的内部结构，拥有业界最低通态电阻，适用于低能耗、高空间效率的设计.

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款通过Defense Logistics Agency (DLA)---美国国防后勤局 Specification 13008认证的新款高可靠性版本电容器--- Vishay Sprague 13008系列，扩大其TANTAMOUNT 597D系列商用固钽片式电容器。

英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS C7，为硬开关应用带来全球最低的通态电阻

Vishay推出反向电压高达1000V的单相桥式整流器,器件采用薄型MBLS封装，用于智能手机充电器.

每一代高端处理器、FPGA和ASIC都因更重的负载而增加了电源的负担，但是系统设计师很少为了符合这种功率增大的情况而额外分配宝贵的系统电路板空间。由于广泛需要更多专用和安装在电路板上的电源，以向多个电压轨提供POL(负载点)调节，所以这种对电源的挤压就更严重了。

Vishay Siliconix 扩展ThunderFET的电压范围,150 V N沟道TrenchFET功率MOSFET为DC/DC应用提供18m?导通电阻.

英飞凌科技亚太有限公司与阳光电源股份有限公司今日在安徽省合肥市签署了合作伙伴框架协议备忘录。

英飞凌科技股份公司近日在2013应用电力电子会议暨展览会（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。

无线充电系统的运作受负载变化影响。移动设备为了缩短充电时间，充电过程中所需要的电流较过去有所增加。对于较大功率的设备，Qi标准的5W功率显得不够使用。因此，市场发展的重点将着眼于实现更大功率。IIC China 2013展会上，富达通科技公司推出了大功率无线充电解决方案，吸引了众多与会者的眼球。

意法半导体（ST）推出电池剩余电量指示芯片，有效提升移动设备的可靠性及使用寿命.创新的电池电量计可准确地监控电池剩余电量，且不受电池老化和使用方式的影响.

当靠近IC 4挥舞魔棒时，触发器的输出会翻转。

他们尝试利用具备更高击穿电压及更高效电源转换性能的氮化镓晶体管来替代硅MOSFET器件,其目标是开发出可以在严峻环境下工作并具备更高性能的电子器件。宜普电源转换公司(EPC)于2010年为电源转换市场开发出了第一代增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。

IIC China 2013展会上，金领导科技带来了可控制1700V/1200A级IGBT和面向风力、太阳能发电的IGBT栅极驱动板，以及6轴/9轴空中鼠标、迷你语音+空鼠+键盘遥控器、Android智能电视遥控器等最新技术方案。

光耦是高压隔离设计中经常使用的器件。精心设计的电路板，可以对输入对输出起到高达7500V的电气隔离。光耦的好坏界定，可以由电流传输比和耐压值来确定。