意法半导体（ST）推出电池剩余电量指示芯片，有效提升移动设备的可靠性及使用寿命.创新的电池电量计可准确地监控电池剩余电量，且不受电池老化和使用方式的影响.

当靠近IC 4挥舞魔棒时，触发器的输出会翻转。

他们尝试利用具备更高击穿电压及更高效电源转换性能的氮化镓晶体管来替代硅MOSFET器件,其目标是开发出可以在严峻环境下工作并具备更高性能的电子器件。宜普电源转换公司(EPC)于2010年为电源转换市场开发出了第一代增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。

IIC China 2013展会上，金领导科技带来了可控制1700V/1200A级IGBT和面向风力、太阳能发电的IGBT栅极驱动板，以及6轴/9轴空中鼠标、迷你语音+空鼠+键盘遥控器、Android智能电视遥控器等最新技术方案。

光耦是高压隔离设计中经常使用的器件。精心设计的电路板，可以对输入对输出起到高达7500V的电气隔离。光耦的好坏界定，可以由电流传输比和耐压值来确定。

人们偶尔会碰到一款很简单、实用、功能性强的装置，然后很乐意地把它归置到已经超载的工作包中，直到有一天由于未知的设计因素而坏掉。这里，我是指一个便宜的USB电源连接器。

器件采用芯片级MICRO FOOT 1mm x1mm和1.6mmx 1.6mm封装，在4.5V下的导通电阻低至20m欧姆.

Vishay新款表面贴装TRANSZORB?双向TVS具有3kW的高浪涌能力,器件采用SMC DO-214AB封装.

Vishay的新款表面贴装PAR TVS器件具有5kW的高浪涌能力,器件采用DO-214AB封装和+185℃的工作结温.

Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的功率MOSFET,新款100V N沟道TrenchFET功率MOSFET采用ThunderFET技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83m欧姆的低导通电阻.

瑞萨电子推出锂电池充电控制IC，可支持大电流快速充电.2.47毫米 × 2.47毫米超小封装，造型小巧,轻松实现高效2A充电.

LYTSwitch IC将PFC和CC集成到单个开关级中，这样能将典型应用中的效率提高到90%以上，使功率因数大于0.95 ， 并轻松满足EN 61000 - 3 - 2C 对总谐波失真(THD)的要求。

该方案包括业界首款具有集成型电池充电器的单芯片无线电源接收器bq51050B与全新“自由位置”发送器bq500410A，该方案可将充电面积扩大400%，不仅适用于智能手机充电，也适用于汽车控制台、充电板、办公家具等应用。

致力于触控、显示和LED照明类芯片设计与研发的北京集创北方科技有限公司，将在IIC China 2013上展示其全线产品，包括触摸屏控制芯片、电源芯片和LED驱动芯片等。同时，集创在其展位内设置了客户体验专区，为到场的观众做演示和讲解。

圣邦微电子（SG MICRO）最新推出针对升压5V应用的1.1A高效率同步升压开关稳压器SGM6605。