电容器是最重要的电气元件之一，我们将在儿童基础电子课程的第二部分了解它的工作原理我们将从储能功能方面对其进行探索，所进行的测试和实验将侧重于这一要素。

GaN产业已经建立一套方法来保证GaN产品的可靠性，因此问题并不在于“GaN是否可靠？”，而是“如何验证GaN的可靠性？”

EA Elektro-Automatik受邀参加主题为“变革中的贸易？不确定性时代的中德经济关系展望”的高层外贸战略论坛，为公司在中国市场实现重要增长进行规划并奠定基础。

第三代宽禁带半导体——碳化硅(SiC)——正在发挥其众所周知的潜力，在过去五年内，汽车行业一直是该材料的公开试验场。然而，电气化议程不会以汽车开始和结束。更广泛的运输应用将很快出现，包括卡车和公共汽车、船舶和航运、火车的进一步电气化，甚至飞机。在供电方面，并网太阳能发电系统和通过高压直流链路传输能源，对于低碳能源的生产和分配也至关重要。

本文将对中国制造的COB LED HP1807带移动电源的手提灯/手电筒的内部（包括电池容量）进行简短的测试和分析。在本主题中，我还将展示其电路板上连接的详细草图，这实际上也构成了其原理图。

增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)已经采用两种不同的结构开发出来。这两种增强型结构是金属-绝缘层-半导体(MIS)结构和栅极注入晶体管(GIT)结构。MIS结构具有受电压驱动的小栅极漏电流，而GIT则具有脊形结构和高阈值电压。两者也都有一些缺点。MIS对栅极干扰的可靠性较低，阈值电压较低，而GIT的栅极开关速度较慢，栅极漏电流较大。

恒定频率振荡器是555定时器的经典应用之一。然而，由于所用二极管的特性不理想，占空比的间隔会随着温度和V+电源的变化而变化。本设计实例给出了一种解决方法：利用反极性P沟道MOSFET引导电容的充电电流而不产生任何明显压降。

电子是当今的热门话题，许多孩子们也期望了解并掌握这个重要技术的基本原理。本文是一个面向孩子们的基础电子课程，将并以简单有趣的方式教他们基础知识，激发他们的兴趣。

本文将为初学者提供一些实用的布局、提示和技巧，可以帮助您避免事故或解决各种问题。该系列将不定期发布。

爆料称OPPO正在试产24V10A的240W充电器。对于采用双电芯三电荷泵设计的电池而言，其理论峰值功率可以达到300W，但目前的USB Type-C接口规范的最高功率为240W，OPPO这次一下子将C口快充做到了“天花板”级别。不过，OPPO和vivo不太一样，虽然前者测试的是240W快充，但充电策略偏向保守，实际速度可能不如vivo的200W。

本文将演示芯片级封装(CSP) GaN FET提供的散热性能为什么至少能与硅MOSFET相当，甚至更胜一筹。GaN FET由于其卓越的电气性能，尺寸可以减小，从而能在不违背温度限制的同时提高功率密度。本文还将通过PCB布局的详细3D有限元仿真对这种行为进行展示，同时还会提供实验验证，对分析提供支持。

本文我将对一款最便宜的带有USB 5V输出的中国产太阳能充电器进行实际测试。该充电器采用26cm×14cm的单面板形式，并具有集成转换器——如果可能的话，应产生稳定的5V输出。在这个话题中，我将检查在阳光明媚的3月或4月是否可以用它来为手机充电，然后展示其内部逆变器的样子。测试将从典型的用户角度进行，即我将拿两部手机（三星和苹果），检查它们是否可以在阳光明媚的日子里充电到任何显著程度。

虽然GaN器件可实现更高的功率密度，但为了实现高可靠性的适销对路的适配器设计，仍有一些系统级问题需要解决。这些问题以散热设计和EMI合规性为中心。适配器内的电子电路必须要在放置它们的狭小空间中保持冷(表现出低温升)静(低发射噪声)。本文将着眼于实现这些目标的技术。

整个电力电子行业，包括射频应用和涉及高速信号的系统，都在朝着在越来越小的空间内提供越来越复杂的功能的解决方案发展。设计人员在满足系统尺寸、重量和功率等要求方面面临着越来越苛刻的挑战，其中包括有效的散热管理，这又从PCB的设计开始。

一项尖端的人工智能开发可以将智能手机的电池寿命延长 30%。这项应用则是利用 AI 分析正在使用的应用程序的 FPS 变化，并试图找到 CPU 和 GPU 处理器的最佳运行频率以适应变化，同时消耗设备中最少的功率和温度增益……