泰克科技公司日前宣布，推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。

该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统

检验功率半导体器件中的各种噪声源，例如热噪声和散粒噪声。

器件通过AEC-Q200认证，采用SOT-227小型封装，可直接安装在散热器上，具有高脉冲处理能力，功率耗散达120W

东芝今日宣布，推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”，其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半。

本文介绍了一种小型专用电池分析仪设计，借此就可将我们对便携式电子设备中所用小型电池的“一厢情愿”从其“实际性能”中区分开来。

意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。

器件采用MPS结构设计，额定电流4A~40A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低

意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。

中国上海，2023年5月18日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件

助力工程师设计更加安全高效的牵引逆变器，将车辆的年行驶里程延长多达1,600公里

宾夕法尼亚州立大学与安森美宣布双方签署了一份谅解备忘录 (MOU)，旨在开展一项总额达 800 万美元的战略合作，其中包括在宾夕法尼亚州立大学材料研究所 (MRI) 开设安森美碳化硅晶体中心 (SiC3)。

本文将讨论使用分立或完全集成式GaN HEMT实现USB Type-C功率传输（PD）设计中常见拓扑架构的可选方法，还将介绍集成开关控制器（在适用的拓扑架构场景下）的优点。

在本文中，我们将重点关注如何验证GaN可靠性并重点介绍来自GaN器件的可靠性数据。

如果存在任何的不平衡，都可能会导致效率损失和开关损坏。