本文介绍了一种小型专用电池分析仪设计，借此就可将我们对便携式电子设备中所用小型电池的“一厢情愿”从其“实际性能”中区分开来。

意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。

器件采用MPS结构设计，额定电流4A~40A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低

意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。

中国上海，2023年5月18日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件

助力工程师设计更加安全高效的牵引逆变器，将车辆的年行驶里程延长多达1,600公里

宾夕法尼亚州立大学与安森美宣布双方签署了一份谅解备忘录 (MOU)，旨在开展一项总额达 800 万美元的战略合作，其中包括在宾夕法尼亚州立大学材料研究所 (MRI) 开设安森美碳化硅晶体中心 (SiC3)。

本文将讨论使用分立或完全集成式GaN HEMT实现USB Type-C功率传输（PD）设计中常见拓扑架构的可选方法，还将介绍集成开关控制器（在适用的拓扑架构场景下）的优点。

在本文中，我们将重点关注如何验证GaN可靠性并重点介绍来自GaN器件的可靠性数据。

如果存在任何的不平衡，都可能会导致效率损失和开关损坏。

两家公司合作开发高性能储能和太阳能组串式逆变器方案，以实现可持续的未来

意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。

我们储存和转换日常所使用能源的方式，正在转向更多的可再生能源。

5月9日，瑞能半导体携其最新产品亮相在德国纽伦堡揭幕的PCIM Europe 2023。产品组合包含碳化硅器件，可控硅和功率二极管，高压和低压Si-MOSFET, IGBT，保护器件以及功率模块。

全新产品系列包括快速开关MOSFET和半桥功率集成模块，具备领先行业的每开关超低导通电阻Rds(on)，采用行业标准封装