微机电铸造（MEMS-Casting）是一项将微纳原理引入宏观的铸造，可以在晶圆级实现复杂微金属结构批量铸造的技术。作为一项适合于在晶圆上批量制造复杂金属微型结构的技术，微机电铸造技术可以灵活方便地在晶圆一次成型螺线线圈，从而可以实现MEMS芯片式线圈。

在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前，应对其可靠性和鲁棒性进行评估。本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开，以便更好地理解系统设计的权衡，以提高效率和可靠性。

近日，蓉矽半导体成功实现国内最低导通电阻产品1200V 12mΩ SiC MOSFET量产突破，首批次量产平均良率高达80%，满足车规主驱芯片的高可靠性要求，为高质量国产替代提供了坚实保障。

本文提出了一种基于串联DAB的OBC，它使用并行功率处理来提供基于标准Si 650V MOSFET晶体管的高性能和低成本解决方案。

大联大控股宣布，其旗下友尚集团推出与意法半导体（ST）共同开发的基于STELLAR-E1系列SR5E1芯片的22kW OBC结合3kW DC/DC直流输出汽车充电器方案。

在国内新能源车市场，特斯拉称得上是最大的“鲶鱼”，一举一动总能搅动起不小的“水花”。

在这篇文章中，作者分析了运输辅助动力装置（APU）的需求，并阐述了SiC MOSFET、二极管及栅极驱动器的理想静态和动态特性。

氮化镓正取代硅，越来越多地用于需要更大功率密度和更高能效的应用中

Diodes推出碳化硅(SiC)系列最新产品：DMWS120H100SM4 N通道碳化硅MOSFET。

随着电气化的普及，半导体创新使我们能够与电动汽车、可再生能源和其他高压系统安全可靠地进行交互。

D类音频放大器是氮化镓(GaN)增强型HEMT器件最有前途但同时探索较少的应用领域之一。本文将深入探讨在D类音响中，GaN功率器件在性能、效率和音质方面，如何优于目前可用的硅基MOSFET。

Power Electronics News探讨了在涉及高压的应用中优化宽禁带半导体使用的方法。

高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。

本文介绍了电源适配器市场趋势和预测，包括USB、无线和GaN基的充电器。

在3月29日和3月30日，由电子工程领域全球领先的技术媒体机构AspenCore主办的2023国际集成电路展览会暨研讨会(IIC)上海展会活动现场，汇聚了众多国内外优质展商，EDN小编在现场参观走访时，也发现不少的国产厂商都提到了“国产化”，就让我们一起来看看这些国产厂商在这条路上做了哪些努力，又是怎样推动了国产化的全速“狂飙”。