随着电气化的普及，半导体创新使我们能够与电动汽车、可再生能源和其他高压系统安全可靠地进行交互。

D类音频放大器是氮化镓(GaN)增强型HEMT器件最有前途但同时探索较少的应用领域之一。本文将深入探讨在D类音响中，GaN功率器件在性能、效率和音质方面，如何优于目前可用的硅基MOSFET。

Power Electronics News探讨了在涉及高压的应用中优化宽禁带半导体使用的方法。

高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。

本文介绍了电源适配器市场趋势和预测，包括USB、无线和GaN基的充电器。

在3月29日和3月30日，由电子工程领域全球领先的技术媒体机构AspenCore主办的2023国际集成电路展览会暨研讨会(IIC)上海展会活动现场，汇聚了众多国内外优质展商，EDN小编在现场参观走访时，也发现不少的国产厂商都提到了“国产化”，就让我们一起来看看这些国产厂商在这条路上做了哪些努力，又是怎样推动了国产化的全速“狂飙”。

东芝宣布推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。

在由AspenCore主办的“第二届‘碳中和’暨绿色能源电子产业可持续发展高峰论坛”上，意法半导体（ST）亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁Francesco Muggeri（沐杰励）发表了“创新技术如何为可持续发展的世界做出贡献”的主题演讲。

拜登总统在致辞中指出政府项目旨在促进美国经济增长，包括投资 Wolfspeed 这类半导体制造商

全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以“连接与电源——新主题、新Qorvo”的媒体活动。通过此次活动，Qorvo旨在向业内介绍Qorvo在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向电源、物联网和汽车等领域的最新进展。

高效的电源管理包括增加电子设备的功率传输能力，同时最大限度地减少损耗并保持信号完整性。

引领行业的PLECS模型和系统级仿真，适用于软/硬开关应用、边界建模和自定义寄生环境，可创建虚拟原型

——专访意法半导体可持续发展主管

全新1200V器件提供领先市场的导通和开关性能

Qorvo今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装（TOLL）封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET拥有全球最低的5.4mΩ的导通阻抗。