尽管化学机械抛光(CMP)有一段时期一直是最常用的基板抛光技术，但随着一种新引进的技术——等离子体抛光干式蚀刻(PPDE)被提出，可望克服CMP带来的一些限制。

2023年2月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC[1]---“TB9083FTG”，该IC适用于电动转向助力系统（EPS）、电动制动系统和线控换档系统等应用。产品于今日开始批量出货。

围绕电动汽车和电池的最大问题之一，是如何提高单次充电的容量和续航里程。而围绕续航能力有一些关键绩效指标，同样围绕电池的效率、加速和快速充电能力也有一些关键绩效指标。我们今天看到的趋势是锂离子电池，但在未来，我们将看到向固态的转变。这主要是由固态电池带来的重量减轻和密度增加所推动的，而重量是影响车辆续航能力的一个关键因素。

近年新能源碳中和相关概念法规逐步落地，因应全球消费性产品及电动汽车(EV)对高功率、高流高压测试需求增长，第三代半导体GaN(氮化镓)与SiC(碳化硅)材料为新主流。在供应链中每个组件的质量把关都是关键，制程测试准确度足以影响整体PMIC，筑波科技与泰瑞达携手合作推广Eagle Test Systems (ETS)，基于20年无线通信及半导体测试经验，满足客户客制化需求。

本文概述了FPGA如何推进纵深防御方法的发展以开发安全应用程序，这是在第四次工业革命的推动下，满足IoT和边缘计算迅速增长的需求的必经之路。本文介绍了安全功能在硬件、设计和数据中的作用，以及如何在安全性的三个要素（机密性、完整性和真实性）基础上构建应用程序。

如今，出行生态系统不断地给汽车设计带来新的挑战，特别是在电子解决方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外，随着汽车电控制单元 (ECU) 增加互联和云计算功能，必须开发新的解决方案来应对这些技术挑战。

动态特性是功率器件的重要特性，在器件研发、系统应用和学术研究等各个环节都扮演着非常重要的角色。故对功率器件动态参数进行测试是相关工作的必备一环，主要采用双脉冲测试进行。

小型高边和低边开关（8通道）

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。

Wolfspeed于今日宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的 200mm 晶圆制造工厂。

GaN技术距离其理论性能极限还有30倍的差距，因此仍有空间开发更好的GaN芯片。为了充分利用晶体管，设计工程师必须专注于智能拓扑、布局和热管理，而不是使用GaN的原始功率...

GaN和SiC都是新技术，而且正迅速带来多样化应用和设计创新。GaN和SiC器件正在形成特定市场，同时，在这些WBG技术之间也存在着部分的市场重叠...

在产品发布声明中，罗姆声称其第4代产品“通过进一步改进原有的双沟槽结构，在不影响短路耐受时间的情况下，使单位面积导通电阻比传统产品降低40%。”他们还表示，“此外，显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳化硅金氧半场效晶体管降低50%成为可能”。在本文中，我们将公开一些具有启发性的早期分析，以便验证罗姆的上述声明，并理解其所做的改进。

今年一月各大厂商新推出的功率器件可圈可点，在能效、封装、散热、简化设计等方面都取得了不错的表现，同时研发重点也更着重聚焦于碳化硅功率器件在电动汽车上的应用。