Wolfspeed于今日宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的 200mm 晶圆制造工厂。

GaN技术距离其理论性能极限还有30倍的差距，因此仍有空间开发更好的GaN芯片。为了充分利用晶体管，设计工程师必须专注于智能拓扑、布局和热管理，而不是使用GaN的原始功率...

GaN和SiC都是新技术，而且正迅速带来多样化应用和设计创新。GaN和SiC器件正在形成特定市场，同时，在这些WBG技术之间也存在着部分的市场重叠...

在产品发布声明中，罗姆声称其第4代产品“通过进一步改进原有的双沟槽结构，在不影响短路耐受时间的情况下，使单位面积导通电阻比传统产品降低40%。”他们还表示，“此外，显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳化硅金氧半场效晶体管降低50%成为可能”。在本文中，我们将公开一些具有启发性的早期分析，以便验证罗姆的上述声明，并理解其所做的改进。

今年一月各大厂商新推出的功率器件可圈可点，在能效、封装、散热、简化设计等方面都取得了不错的表现，同时研发重点也更着重聚焦于碳化硅功率器件在电动汽车上的应用。

全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms

节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 6x5F封装减少63%，有助于减少元器件数量并简化设计.

这款高度集成和可配置的三相电源模块是新系列产品的首款型号，可使用碳化硅或硅进行定制，从而减少电动飞机电源解决方案的尺寸和重量

新型智能功率器件带来40%的尺寸缩减

意法半导体推出了各种常用桥式拓扑的ACEPACK™ SMIT 封装功率半导体器件。与传统 TO 型封装相比，意法半导体先进的ACEPACK™ SMIT 封装能够简化组装工序，提高模块的功率密度。

目前，同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装，电源能够以更低的成本获得功率密度优势。

谈到800V母线系统，让我们聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模块，由于碳化硅得天独厚的优势，使得它非常适合用来制造高耐压、高结温、高速的MOSFET，这三高恰好契合了800V母线系统对于核心的功率器件的要求。

碳化硅功率器件作为新一代功率半导体器件，以其优异的特性获得了广泛的应用，同时也对其动态特性测试带来了挑战，现阶段存在的主要问题有以下三点：测试难、测得对不对，以及测试结果是否能发挥作用。

汽车电动化和数字化的大趋势包括区域控制架构、功率芯片驱动数字化、电池管理系统、功率电子和电源/能源管理。电控单元(ECU)对更大功率、更高安全性的需求日益增长，推动系统设计人员去开发智能配电解决方案。

如今，电源管理已成为一个重要领域，研究人员专注于在提高功率密度和工作频率的同时将损耗降至最低。