BLDC在机器人应用中具有优势，但需要对电机控制器和驱动器进行特殊考虑。

第三代宽禁带半导体——碳化硅(SiC)——正在发挥其众所周知的潜力，在过去五年内，汽车行业一直是该材料的公开试验场。然而，电气化议程不会以汽车开始和结束。更广泛的运输应用将很快出现，包括卡车和公共汽车、船舶和航运、火车的进一步电气化，甚至飞机。在供电方面，并网太阳能发电系统和通过高压直流链路传输能源，对于低碳能源的生产和分配也至关重要。

增强型GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)已经采用两种不同的结构开发出来。这两种增强型结构是金属-绝缘层-半导体(MIS)结构和栅极注入晶体管(GIT)结构。MIS结构具有受电压驱动的小栅极漏电流，而GIT则具有脊形结构和高阈值电压。两者也都有一些缺点。MIS对栅极干扰的可靠性较低，阈值电压较低，而GIT的栅极开关速度较慢，栅极漏电流较大。

本文将演示芯片级封装(CSP) GaN FET提供的散热性能为什么至少能与硅MOSFET相当，甚至更胜一筹。GaN FET由于其卓越的电气性能，尺寸可以减小，从而能在不违背温度限制的同时提高功率密度。本文还将通过PCB布局的详细3D有限元仿真对这种行为进行展示，同时还会提供实验验证，对分析提供支持。

虽然GaN器件可实现更高的功率密度，但为了实现高可靠性的适销对路的适配器设计，仍有一些系统级问题需要解决。这些问题以散热设计和EMI合规性为中心。适配器内的电子电路必须要在放置它们的狭小空间中保持冷(表现出低温升)静(低发射噪声)。本文将着眼于实现这些目标的技术。

日前，在AspenCore举办的“2022国际AIoT生态发展大会”的“智慧两轮车分论坛”上，广东威灵电机制造有限公司两轮车项目经理刘海量分享了“两轮车电动力系统技术发展趋势与解决方案”主题演讲。

​成都蓉矽半导体具有自主知识产权的1200V碳化硅二极管产品“NovuSiC® EJBS™”系列已经实现量产。

随着重型或商用车辆的电气化，为比电动乘用车更大的电池充电变得必要。由于时间就是金钱，特别是在物流领域，分配空闲时间进行充电或增加充电功率是首选方案。这导致了三种不同的充电方案。

在本系列的前几篇文章中，我们介绍了基于onsemi丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25kW EV快充系统。在这一章，我们来看看其中的散热管理部分是如何提高效率和可靠性，同时防止系统过早失效的。

Bill Collins是我在1977年研究生毕业后加入IR时的战略营销主管。他指导我完成了功率MOSFET及其第二代版本HEXFET的开发。Bill刚满90岁，我们仍然会每隔几个月吃一次午饭。

最近遇到一家客户有点“不切实际”地执意要在辐射暴露的供电应用中，使用并非专为辐射环境而设计的功率MOSFET……

本篇将介绍25kW快充系统中的辅助电源设计。它基于onsemi针对800V母线电压的EV应用所做的一个辅助电源参考设计方案，即SECO-HVDCDC1362-40W-GEVB，它能提供15V/40W的持续输出供电。类似的方案还有SECO-HVDCDC1362-15W-GEVB，它能提供15V/15W的持续输出。

Bs&T Frankfurt am Main GmbH公司开发了一种基于晶闸管的新型脉冲发生器，并在各种感性功率器件上进行了测试。该脉冲发生器具有一些得益于晶闸管高脉冲电流处理能力的独特特性，与基于IGBT的系统相比，它具有一些主要优势。

本文的基础是使用安森美新型 SiC 模块构建 25 kW 快速电动汽车充电桩获得的经验。在此设计中，我们将使用安森美的 IGBT 电流隔离栅极驱动器作为起点，并介绍使用新的专用 SiC 电流隔离栅极驱动器进行的改进。本文介绍的所有栅极驱动器系列都采用相同的隔离技术和输出级技术。

全球“双碳”背景下，绿色能源的普及和汽车电动化已经逐渐成为了趋势。特斯拉首次将意法半导体生产的24个SiC MOSFET功率模块引入其Model 3的主逆变器中，推动了碳化硅功率器件市场的增长。