尽管碳化硅(SiC)具有开关速度更快和效率更高等一系列优势，但它也带来了一些设计挑战，我们可以通过选择合适的栅极驱动器来予以解决。

LD801是一款适用于12MHz以下窄带、高速或宽带中频电力线载波通信（PLC）的高性能线路驱动（功放）芯片，最大输出功率24dBm。

国内首款带DESAT保护功能并兼容光耦驱动的IGBT/SiC隔离驱动器，5kVrms隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压，CMTI超过100kV/us

IVCR1401是一款4A单通道高速智能栅极驱动器，能够高效，安全地驱动SiC MOSFET和IGBT， 对比传统的栅极驱动，8引脚设计更简洁，使用更方便，能大大节约开发时间成本。

SGT75T60SDM1P7产品是士兰微电子采用第三代场截止(Field Stop III)工艺制作的绝缘栅双极型晶体管，具有较低的导通损耗和开关损耗、快速关断能力、宽反向安全工作区范围等特点。该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

SDM15G60TA是一款具有高可靠性、结构非常紧凑的低功耗智能功率模块，其内部集成栅极驱动芯片、6个IGBT和6个FRD。栅极驱动芯片采用了新一代先进BCD工艺，能够提升整机可靠性和参数精度，同时内置欠压、短路、过温等各种保护功能，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。IGBT为Silan全新一代低功耗FS4+ IGBT，优化开关损耗，提升功率密度。主要适用于空调压缩机、洗衣机电机、小功率变频器等变频控制。

碳化硅肖特基功率二极管在开关电源电路中的应用，更好的让电路工作在高频状态，减小电路中电感等元件体积重量，由于碳化硅肖特基二极管优良的耐温性能和低损耗特性，让电路中热沉的体积重量得到改善，便于优化电路的热设计，与此同时，应用了SOD123封装形式的该款器件，为功率二极管小型化提出了解决方案，更好的贴合对器件小型化和产品功率密度改善有要求的客户需求。该产品可应用于高频ACF，小功率GaN适配器，驱动部分自举电路，高频DC/DC电路等应用场合。G51XT碳化硅肖特基二极管已进入市场，有良好的市场反馈。

捷捷微电 (上海) 科技有限公司已推出的 N 沟道 100V 含自有先进平台 JSFET 系列中的 JMSH1001ATL ，采用了经 AEQ-101 验证、具超优热导性能的 PowerJE10x12 (TOLL) 创新型封装。

纳芯微NSi6602-Q1是国内首款车规级高压隔离半桥驱动芯片，该芯片集高隔离耐压、高可靠性、高集成度、低延时、灵活封装配置等特性于一体，可应用在车载电源OBC/DCDC、车载电驱、充电桩、光伏储能、数字电源等泛能源重点发展领域。

维安面向全球市场，在800V及以上超高压产品进行了大量的技术投入，经过近多年的超高压SJ-MOSFET产品研发积累，已开发出国内非常领先的工艺技术，可以将小封装，高耐压导通电阻做到非常低水平。给客户提供高功率密度的800V及900V以上耐压产品。此举填补国内空白，打破了进口品牌垄断的局面。降低对国外产品依存度。维安1000V超结工艺产品技术利用电荷平衡原理实现高耐压的低导通电阻的特性。相比VD-MOSFET 结构工艺产品，SJ-MOSFET有更好的更小封装和成本优势。目前市场使用1000V耐压MOSFET，多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封装。维安1000V器件WMO05N100C2，使用TO-252/DPAK贴片封装，内阻低至3.5Ω，相比同规格VDMOSFET 6-7Ω 下降1倍。目前在工业控制，中低压配电等380VAC输入场景得到广泛应用。

1. 高频、高功率密度；2. 高边同步整流自供电，不需要辅助绕组，设计简洁；3. 无反向恢复电荷，效率更高；4. 更利于合封集成

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这两种新器件正在推动电力电子行业发生重大变化，它们在汽车、数据中心、可再生能源、航空航天和电机驱动等多个行业取得了长足的进步。在由AspenCore集团举办的PowerUP Expo大会上，演讲嘉宾们深入探讨了包括GaN和SiC在内的宽禁带(WBG)器件的技术优势以及发展趋势。

Diodes 公司推出 DGD0579U 高侧和低侧栅极驱动器。这款高频装置内建自举式二极管，能够在半桥配置中驱动两个通常用于控制马达及 DC-DC 电力传输的 N 通道 MOSFET。

超级结器件降低传导和开关损耗，提高通信、服务器和数据中心应用能效

在同时考虑行驶里程和成本因素时，仍然需要以电机逆变器为焦点不断创新，旨在进一步提高电动汽车的效率和行驶里程。作为电机逆变器中价格最昂贵、功能最重要的元件，SiC功率开关需要接受精准控制，以充分发挥额外的开关成本的价值。