低电流范围内电气表征的典型问题是：必需确定低功率/低漏流MOSFET在不同条件下可实现的器件性能。

相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。

硅技术助力多领域创新发展

英飞凌推出了一款车规级基于EDT2技术及EasyPACK 2B半桥封装的功率模块，这款模块具有更高的灵活性及可扩展性。

在电力电子领域，工程师一直以来有着6大诉求：更优秀的性能、更高的能效、更好的成本、更强的鲁棒性、更多的设计裕量，以及设计灵活性。

泰克科技日前为吉时利S530系列参数测试系统发布了KTE V7.1软件，在全球市场最需要的时候帮助加速半导体芯片制造进程。

未来汽车一定会采用800V电压平台。800V电压平台可以带来重量更轻、体积更小、效率更高的好处，而其中不管是电池的充放电还是电机驱动，都会用到功率器件，尤其是碳化硅。

TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本

双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法，贯穿器件的研发，应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台，你可以在系统设计中从容的调试驱动电路，优化动态过程，验证短路保护。双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用，对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。

新技术使电动公共汽车等电动交通动力系统能够满足并超出严格的环境条件要求，同时最大限度地提高效率

英飞凌科技股份公司今日宣布，其位于奥地利菲拉赫的300毫米薄晶圆功率半导体芯片工厂正式启动运营。

3kV截止电压；mu-metal磁性屏蔽实现继电器紧密排布

9月15日，在由临港集团主办、ASPENCORE承办的第二届中国（上海）自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛上，瑞能半导体首席战略和业务运营官沈鑫分享了“理想照进现实，拥抱第三代半导体新纪元”的主题演讲。

9月15日，在由临港集团主办、ASPENCORE承办的第二届中国（上海）自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛上，北京华大九天科技股份有限公司董事长刘伟平通过视频方式分享了“自主EDA发展之路——化合物半导体解决方案”的主题演讲。

对于非常低的功率，有可能采用线路频率电感器进行“无源”校正，但对于几十瓦以上的功率，这成本太高，且又大又重。更高功率的解决方案是通过以更高频率开关电流，并使用正弦线路电压波形的模拟来调制脉冲宽度，以主动强制线电流遵循施加的电压波形。