英飞凌和松下签署协议，共同开发和生产第二代（Gen2）成熟的氮化镓（GaN）技术，提供更高的效率和功率密度水平。

英飞凌为其采用TRENCHSTOP IGBT7芯片的EconoDUAL 3产品组合推出新的额定电流。

开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件

模拟晶圆代工龙头企业X-FAB和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布，双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系，此前双方已经合作近三年时间。

本系列文章将谈论直流充电器的开发过程，在每一部分探讨不同的主题。将聚焦所面临的关键挑战、权衡和妥协，并展示如何从头设计、构建和验证这样的系统。在第一部分中，将描述快速电动车充电器的结构，并定义其关键电气规格。

在中小功率光伏与UPS等领域，IGBT混搭SiC SBD续流二极管具有较高性价比。此次，我们将利用英飞凌强大且丰富的器件SPICE模型，同样在Simetirx的仿真环境里，测试不同类型的续流二极管，对IGBT开通特性及Eon的影响。

如何选择薄膜沉积设备、使之匹配不断发展的宽禁带半导体制造工艺需求，是横亘在众多第三代半导体厂商面前的一道难题。

日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。

​​​​​​​基于VisIC的车规级D3GaN氮化镓功率器件，为高功率车载充电机应用提供最佳性能及性价比解决方案

本文对IGBT模块的等效热路模型展开基础介绍，所述方法及思路也可用于其他功率器件的热设计。

泰克在华南地区首台DPT1000A在深圳美浦森半导体正式交付。DPT1000A功率器件动态参数测试系统由泰克科技领先研发，一经推出就受到广大科研和企业用户的强烈关注。

这一重要里程碑标志着 GaN 的全球快速采用

如何评估IGBT模块的损耗与结温？英飞凌官网在线仿真工具IPOSIM，是IGBT模块在选型阶段的重要参考。这篇文章将针对IPOSIM仿真中的散热器热阻参数Rthha，给大家做一些清晰和深入的解析。

编者按：功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。

该在线电源设计工具的增强型功能使确定最优SiC FET设计解决方案更加容易