近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX/OTCQX: IFNNY）将EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。

要大力发展可再生能源，提高其利用比例，有一个必要的前提，即风电、太阳能发电要能上网利用。然而，我国存在着能源资源与用电负荷中心呈逆向分布的现实难题。

日前，在第九届EEVIA年度中国电子ICT媒体论坛暨2021产业和技术展望研讨会上，英飞凌电源与传感系统事业部市场总监程文涛带来《低碳互联时代的第三代半导体技术发展演进》的演讲主题。

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围

续航里程不长和无法进行快速充电被认为是消费者不愿意转向全电动的两个原因。通过将电池、燃料电池和超级电容器结合使用，每种技术就都有可能在需要的时间和地点提供能量。虽然今天还没有看到这种潜在新混合类别的例子，但是这是行业未来可以追求的一个方向，并且可以以目前存在的技术为基础。

Qorvo今日推出专为5G小基站基础设施应用设计的高效功率放大器系列产品。这些新型PA有助于小基站OEM在人口稠密城市环境中的室内和室外区域部署5G网络和服务。

完美的半导体开关一直是功率设计师的梦想，而SiC FET是目前最接近的选择。

近日，英飞凌向三星电子供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。

这一次，Novel Crystal Technology开发了100mm外延沉积设备，应用2英寸epi高品质技术，使生产和销售高品质氧化镓100mm外延片成为可能。

英飞凌进一步壮大了其易于设计使用的EiceDRIVER X3 Compact（1ED31xx）、高灵活性的EiceDRIVER X3 Enhanced模拟（1ED34xx）和数字（1ED38xx）栅极驱动器系列，分别推出了增强型隔离产品，旨在提升应用安全性和延长使用寿命。

与传统的IGBT半导体相比，开关导通时的功率损耗降低了50%，开关关断时的功率损耗降低了28%（整体高达40.5%）。

英飞凌推出全新EasyPACK 2B模块。作为英飞凌1200V系列的产品，该模块采用有源钳位三电平（ANPC）拓扑结构，并集成了CoolSiC MOSFET、TRENCHSTOP IGBT7器件、NTC温度传感器以及PressFIT压接引脚。

全面的宽禁带器件组合实现高性能充电方案

英飞凌推出了最新的隔离EiceDRIVER 2L-SRC紧凑型（1ED32xx）栅极驱动器系列。

近日，来自新加坡国立大学（NUS）的一支研究团队，就介绍了他们新开发的一款能够为 LED 和其它小型电子设备 / 传感器供电的新型芯片。EDN电子技术设计留意到，在2019年，就有过麻省理工的研究将WiFi信号转化为电信号，研究人员展示了一种新型的整流天线，当时也在《 Nature》杂志上发表了。