​​​​​​​基于VisIC的车规级D3GaN氮化镓功率器件，为高功率车载充电机应用提供最佳性能及性价比解决方案

本文对IGBT模块的等效热路模型展开基础介绍，所述方法及思路也可用于其他功率器件的热设计。

泰克在华南地区首台DPT1000A在深圳美浦森半导体正式交付。DPT1000A功率器件动态参数测试系统由泰克科技领先研发，一经推出就受到广大科研和企业用户的强烈关注。

这一重要里程碑标志着 GaN 的全球快速采用

如何评估IGBT模块的损耗与结温？英飞凌官网在线仿真工具IPOSIM，是IGBT模块在选型阶段的重要参考。这篇文章将针对IPOSIM仿真中的散热器热阻参数Rthha，给大家做一些清晰和深入的解析。

编者按：功率二极管晶闸管广泛应用于AC/DC变换器、UPS、交流静态开关、SVC和电解氢等场合，但大多数工程师对这类双极性器件的了解不及对IGBT的了解，为此我们组织了6篇连载，包括正向特性，动态特性，控制特性，保护以及损耗与热特性。内容摘自英飞凌英文版应用指南AN2012-01《双极性半导体技术信息》。

该在线电源设计工具的增强型功能使确定最优SiC FET设计解决方案更加容易

本文详细叙述了实际使用时对IPM模块的各种结温的计算和测试方法，从直接红外测试法，内埋热敏测试，壳温的测试方法，都进行详细说明，以指导技术人员通过测量模块自带的Tntc的温度估算或测试IPM变频模块的结温，然后利用开发样机测试结果对实际产品进行结温估算标定，评估IPM模块运行的可靠性。

目前，电动汽车的使用仍受到阻碍，主要在于“里程焦虑”问题，并且车主不愿在道路上等待数小时充电时间。然而，随着全国各地部署越来越多的充电桩，“直流快速充电”有望将等待时间缩短至数分钟。这些额定功率达350kW的大功率充电桩，必须利用最新的电源转换拓扑结构和半导体开关技术，以尽可能提高电能效来实现成本效益。本文将介绍这些大功率充电桩的典型设计方法，对功率器件的一些选择，以及最新的宽禁带半导体可带来的优势。

近日，英飞凌推出 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。

近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX/OTCQX: IFNNY）将EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。

要大力发展可再生能源，提高其利用比例，有一个必要的前提，即风电、太阳能发电要能上网利用。然而，我国存在着能源资源与用电负荷中心呈逆向分布的现实难题。

日前，在第九届EEVIA年度中国电子ICT媒体论坛暨2021产业和技术展望研讨会上，英飞凌电源与传感系统事业部市场总监程文涛带来《低碳互联时代的第三代半导体技术发展演进》的演讲主题。

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围