本文详细叙述了实际使用时对IPM模块的各种结温的计算和测试方法，从直接红外测试法，内埋热敏测试，壳温的测试方法，都进行详细说明，以指导技术人员通过测量模块自带的Tntc的温度估算或测试IPM变频模块的结温，然后利用开发样机测试结果对实际产品进行结温估算标定，评估IPM模块运行的可靠性。

目前，电动汽车的使用仍受到阻碍，主要在于“里程焦虑”问题，并且车主不愿在道路上等待数小时充电时间。然而，随着全国各地部署越来越多的充电桩，“直流快速充电”有望将等待时间缩短至数分钟。这些额定功率达350kW的大功率充电桩，必须利用最新的电源转换拓扑结构和半导体开关技术，以尽可能提高电能效来实现成本效益。本文将介绍这些大功率充电桩的典型设计方法，对功率器件的一些选择，以及最新的宽禁带半导体可带来的优势。

近日，英飞凌推出 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 单管产品组合，具有650 V阻断电压。

近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX/OTCQX: IFNNY）将EasyDUAL CoolSiC MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。

要大力发展可再生能源，提高其利用比例，有一个必要的前提，即风电、太阳能发电要能上网利用。然而，我国存在着能源资源与用电负荷中心呈逆向分布的现实难题。

日前，在第九届EEVIA年度中国电子ICT媒体论坛暨2021产业和技术展望研讨会上，英飞凌电源与传感系统事业部市场总监程文涛带来《低碳互联时代的第三代半导体技术发展演进》的演讲主题。

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围

续航里程不长和无法进行快速充电被认为是消费者不愿意转向全电动的两个原因。通过将电池、燃料电池和超级电容器结合使用，每种技术就都有可能在需要的时间和地点提供能量。虽然今天还没有看到这种潜在新混合类别的例子，但是这是行业未来可以追求的一个方向，并且可以以目前存在的技术为基础。

Qorvo今日推出专为5G小基站基础设施应用设计的高效功率放大器系列产品。这些新型PA有助于小基站OEM在人口稠密城市环境中的室内和室外区域部署5G网络和服务。

完美的半导体开关一直是功率设计师的梦想，而SiC FET是目前最接近的选择。

近日，英飞凌向三星电子供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。

这一次，Novel Crystal Technology开发了100mm外延沉积设备，应用2英寸epi高品质技术，使生产和销售高品质氧化镓100mm外延片成为可能。

英飞凌进一步壮大了其易于设计使用的EiceDRIVER X3 Compact（1ED31xx）、高灵活性的EiceDRIVER X3 Enhanced模拟（1ED34xx）和数字（1ED38xx）栅极驱动器系列，分别推出了增强型隔离产品，旨在提升应用安全性和延长使用寿命。

与传统的IGBT半导体相比，开关导通时的功率损耗降低了50%，开关关断时的功率损耗降低了28%（整体高达40.5%）。