英飞凌推出全新EasyPACK 2B模块。作为英飞凌1200V系列的产品，该模块采用有源钳位三电平（ANPC）拓扑结构，并集成了CoolSiC MOSFET、TRENCHSTOP IGBT7器件、NTC温度传感器以及PressFIT压接引脚。

全面的宽禁带器件组合实现高性能充电方案

英飞凌推出了最新的隔离EiceDRIVER 2L-SRC紧凑型（1ED32xx）栅极驱动器系列。

近日，来自新加坡国立大学（NUS）的一支研究团队，就介绍了他们新开发的一款能够为 LED 和其它小型电子设备 / 传感器供电的新型芯片。EDN电子技术设计留意到，在2019年，就有过麻省理工的研究将WiFi信号转化为电信号，研究人员展示了一种新型的整流天线，当时也在《 Nature》杂志上发表了。

新产品能够为表面贴装型功率系统设计提供性能、可靠性和尺寸等优势

Si828x新功能专为电动汽车和各种工业应用而优化

SCALE-2解决方案支持所有主要制造商的130x140mm IGBT大功率模块

图腾柱PFC电路能显著改善交流输入转换器的效率，但是主流半导体开关技术的局限性使其不能发挥全部潜力。不过，SiC FET能突破这些局限性。本文介绍了如何在数千瓦电压下实现99.3%以上的效率。

英飞凌推出集成式功率级（IPS）产品CoolGaN IPS系列，成为旗下众多WBG功率元件组合的最新产品。IPS基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如充电器、适配器以及其他开关电源（SMPS）。

前不久，我的同事Jenny Liao编译了一篇EDN美国版的文章《简单修改电路，使600个产品起死回生！》，但却被一些网友diss说这是“小白设计”，“继电器不加二极管能找到工作？”…一开始我的反应也是为继电器反并联一个二极管可以起到续流作用，但是后来仔细一想，好像情况并没有那么简单…

采用集成线性化电容器方案的氮化镓智能电源模块（IPM），与硅技术相比，在用于电机驱动应用时的功率损耗显著降低，同时也不会出现影响可靠性和EMI兼容性的高开关速率问题。

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同类产品。虽然有各种重要的机会使用这项技术，但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。

CISSOID 日前宣布推出了一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM），以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统（电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低，并实现最佳能源效率。 

在2021年慕尼黑上海电子展上，本土功率器件厂商瑞能半导体科技股份有限公司半导体市场部总监谢丰就该公司包括SiC在内的最新的功率器件技术向媒体朋友做了详细解读。