宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年3月22日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出通过AEC-Q200认证的新系列高压厚膜片式电阻---CRHA。Visha

中国，2021年3月22日——STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产

英飞凌推出车用650V CoolSiC混合分立器件。该器件包含一个50A TRENCHSTOP 5快速开关IGBT和一个CoolSiC肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。

备注：这是一款免费注册的简单在线工具，能让工程师能够迅速、自信地制定设计决策。2021年3月16日，新泽西州普林斯顿：领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC推出了FET-Jet计算

33W氮化镓充电器不仅可以为iPhone 12快充，而且价格还比苹果20W充电器便宜很多。因此，本文就来探讨一下价格相差一倍的两款充电器在性能上有何区别。

尽管GaN的成本仍然是其受到业界广泛采用的一大障碍，但GaN FET所能实现的性能，包括效率和密度的提高，最终都将对开关电源解决方案的总成本产生积极影响。本文详细研究了基于GaN的PFC整流器，并回顾了GaN无桥PFC拓扑、控制和性能。

根据最新调查结果显示，对于尚未考虑抛弃传统内燃机车辆的消费者来说，对电动汽车电池续航能力的担忧，仍是阻碍其购买电动汽车的最重要因素。为了解决这一问题，半导体技术正在不断创新，为实现更快的充电速度和更高的电动汽车续航里程铺平道路。

本文所介绍的电流负载设计简单而又准确，它只需要使用一个运算放大器和一个功率MOSFET就可以构建。还可以将这个电流负载设置成恒定电阻，这在测试某些电源时就非常有用。

节省空间的LFPAK56D半桥产品可以帮助动力系统、电机控制和DC/DC应用减少60%的寄生电感并改善散热性能

在不寻常的2020，挑战和机遇无时不在、难以预测。在各种不确定性之下，我们秉承持续创新、不断精进，推进科技新常态、赋能数字新基建、融绘数字新未来，成为自己的领航，使我们的视野与思考更加完备。“新基建”预示了数字化转型和智能化升级的发展机遇，它包含的用来提高设施效率和能力的数据分析技术……

面向USB3.2和HDMI2.1的出色ESD和系统稳健性

工业和信息化部日前正式印发《基础电子元器件产业发展行动计划（2021—2023年）》，将面向智能终端、5G、工业互联网、数据中心、新能源汽车等重点市场，推动基础电子元器件产业实现突破。在技术创新上，《行动计划》提出突破一批电子元器件关键技术，行业总体创新投入进一步提升，到2023年，我国电子元器件销售总额达到2.1万亿元，力争15家企业营收规模……

超宽带(UWB)技术是一种利用纳秒级的窄脉冲进行数据传输的无线通信技术。它既不同于传统的窄带通信技术，也不同于广泛用于宽带通信的OFDM技术，UWB信号的超大带宽和极低功率对测试方法和测试仪表提出了新的需求和挑战

在实际的激光雷达系统中，传统的硅器件(例如MOSFET)无法为其激光驱动器实现提供必要的性能。为了增强控制，MOSFET的沟道必须很大，这会导致寄生电容的充电时间过长，从而导致开关频率太低而不满足应用所需。此外，散热管理要达到良好的效果，就需要使用大体积、大重量的散热器。

随着陶瓷贴片电容朝着小型化、大容量的趋势发展，陶瓷电容的规格越来越极限，设计余量也越来越小。近年来，在陶瓷电容选型阶段，用户也越来越关注电容的失效率和寿命。 本文分别介绍了用于评估偶然失效阶段失效率和损耗失效阶段寿命的方法，两种方法同步运用，能够有效对陶瓷电容的可靠性进行综合评估。文章举例计算了某品牌规格为X7S-6.3V-47μF±20%-1210电容的失效率和寿命，结果显示该规格电容在100℃、3.3V条件下偶然失效阶段的失效率为7Fit，此条件下寿命约为8.1年。