兼容AOI；出色的RF性能

硅（Si）基半导体的出现比宽禁带（WBG）半导体早了几十年，如果要转向采用SiC或GaN功率半导体器件实现最佳设计，需要更多的专业知识和技巧，并在几个方面谨慎考虑，如开关拓扑、电磁干扰（EMI）、布局、并联以及栅极驱动器的选择。另外，解决可靠性和成本问题也很重要。

臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）是一家以研发、生产和销售新能源车动力总成及其功率半导体模块为核心业务的高科技公司。2019年底，臻驱科技与日本罗姆半导体公司成立了联合实验室，并签订战略合作协议，合作内容包含了基于某些客户的需求，进行基于罗姆碳化硅芯片的功率半导体模块，及对应电机控制器的开发。本文即介绍臻驱对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估。

Ćuk拓扑非常适合用于从正电源电压生成负输出电压。许多系统都需要负电源电压，以便读取某些传感器发出的信号。因此，可能需要为信号链提供（例如）+5 V和–5 V，或者甚至+15 V

半导体技术的飞速发展，包括高性能宽禁带(WBG)器件在商业上的可用性不断提高，以及EV动力总成的迅速发展，从一代车辆到下一代车辆的设计常常发生重大变化。半导体领域的持续创新使汽车厂商能够减少排放/增加电动汽车的行驶里程，提高自主性并减少关键电子系统的尺寸和重量，从而使最新一代的汽车对购车大众更具吸引力。

据汽车行业权威调研数据显示，2019 年国内车规级IGBT 市场呈现寡头垄断格局，英飞凌以高达58.2%的市场份额位居第一，比亚迪位列第二，占18%。作为国内第一家自主研发、生产车用IGBT芯片的公司，比亚迪半导体成为国内市场上最有能力挑战国际大厂的本土厂商。以比亚迪半导体为代表的国内汽车半导体厂商与以英飞凌为代表的国际厂商相比，无论在技术实力、市场规模，还是产品线布局上，都还有很大的差距。然而，从积极一面来看，国内半导体厂商仍然有着巨大的发展空间和机遇。

SiC功率器件和模块的应用离不开驱动电路及其相应的芯片。然而，大多数驱动电路芯片都是普通的硅器件，均不能耐高温，其若能在高温如175℃下工作1000小时，已经是凤毛麟角了。另外，耐高温只是问题的一方面，更严重的是高温时器件性能的一致性问题。普通硅器件在70℃之上性能弱化得非常之快，因此在高温下无法应用。

11月6日，由ASPENCORE主办的2020年“全球分销与供应链领袖峰会”在深圳召开。会上，来自北京京北通宇电子元件有限公司首席科学家顾问宋玉明发表了题为“连接器发展历程与未来趋势”的演讲，通过回顾连接器百年发展历史来看“新常态”下分销行业的未来...

在2020全球双峰会-分销与供应链领袖峰会上，来自全球领先元器件分销商之一的艾睿电子总经理郑宏文为我们分享了《引领创新，并肩前行》的精彩演讲。

ASPENCORE第三届“全球CEO峰会”于2020年11月5日在深圳召开。本届大会邀请到EPC公司首席执行官Alex Lidow，为我们带来了“用GaN IC重新定义电源转换”的主题演讲。内容包含四个方面：GaN发展的历史背景及其背后的推动力、目前最先进的技术、制造IC的实际方法及其最先进的技术和优势，以及展望未来数年内GaN技术带来的变化。

当前，新型快速开关的碳化硅（SiC）功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展，同时推动SiC器件的价格持续下降。然而，在大功率应用中采用SiC还存在一些重要的制约因素，包括经过良好优化的功率模块的可获得性，还有设计高可靠门级驱动的学习曲线。智能功率模块（IPM）通过提供高度集成、即插即用的解决方案，可以加速产品上市并节省工程资源，从而能够有效地应对上述两项挑战。

ASPENCORE第三届“全球CEO峰会”即将于2020年11月5日在深圳召开。本届大会将邀请到EPC公司首席执行官Alex Lidow，为我们带来“用GaN IC重新定义电源转换”的主题演讲，从四个方面全面讲解GaN技术的来龙去脉。

工程师常常面对各种挑战，需要不断开发新应用，以满足广泛的需求。一般来说，这些需求很难同时满足。例如一款高速、高压运算放大器（运放），同时还具有高输出功率，以及同样 出色的直流精度、噪声和失真性能。市面上很少能见到兼具所有这些特性的运算放大器。但是，您可以使用两个单独的放大器来构建这种放大器，形成复合放大器。将两个运算放大器组合在一起，就能将各自的优势特性集成于一体。这样，与具有相同增益的单个放大器相比，两个运算放大器组合可以实现更高的带宽。

近几年，随着智能手机的发展，手机的充电也从普通充电发展到快速充电，甚至超快充电。而快充或者超级快充一般都采用氮化镓（GaN）器件，最近，华为余承东表示：《华为已经掌握了200W无线充电技术》，随着快充/超级快充的功率越来越大，那么在设计方面也出现了一系列问题，其中比较重要的问题是电解电容的尺寸。

-新型隔离栅极驱动器将延迟减半，同时显著提高瞬态抗扰性-