硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料，但与SiC相比，则显得效率低下。SiC现在已开始被多种应用采纳，特别是电动汽车，以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。

信号从测试点到示波器的连接

“充电五分钟，通话两小时”，这是在三四线城市曾经耳熟能详的广告，也奠定了那个时代OPPO不可替代的技术形象。现在我们不再对充电速度很感冒，是因为我们觉得充电速度已经发展到快充时代，而且随手都有充电宝、到处都是共享充电。但为什么要用充电宝呢？电池的容量科学暂时没能突破，那其实还是因为充电速度不够更快！现在，高通发布了QC5，能够在5分钟内充满50%，为何能这么快？

经典的电动汽车充电桩电路由电流整流级和随后的DC-DC转换器级组成。整流器电路由具有非线性特性的二极管组成，因此具有相当低的功率因数和大量不期望的谐波分量。只有通过精心设计功率因数校正(PFC)电路才能实现高效率，而宽禁带半导体在此就能发挥优势。

电源管理行业正呈现出五个重要趋势：高功率密度、低EMI、低静态电流、低噪声/高精度、隔离。在未来5到10年，这五个重要指标决定了一家公司是否能够继续在电源管理行业处于领导地位。

昨日下午，OPPO推出了新一代的超级闪充产品，包括125W超级闪充、65W AirVOOC、50W超闪饼干充电器、110W超闪mini充电器。但最让人眼前一亮的则是仅10mm薄的50W超闪饼干充电器，“旺旺仙贝”大小的充电器体积虽小，其功率却达到了50W。其内部是如何设计的？

“哇！那个ADC的信噪比好高！”这就是客户面对高信噪比ADC时的反应，他只注意到这个比较突出的特性，却忘记考虑其他重要的数据规格。

都说SiC和GaN可以实现高效率，从而轻松满足业界所提出的最新能效要求。现在，EDN申请到一款最新的SiC评估板，据说单级PFC的效率达到99%。今天就拿它来做个评测，看看效率是否有声称的那么好。

GaN器件已广泛用于光电子、RF和汽车领域。金刚石基GaN的主要市场则是防御雷达和卫星通信，目前也已开始针对5G基站应用进行大规模生产。

650V SiC MOSFET主要应用包括电源供应器、不间断电源、电动汽车充电、电机驱动以及光伏和储能，最大的部分来自电源。那么，与传统的硅产品相比，碳化硅可以达到怎样的功效或获得怎样的好处呢？

与传统的硅基技术相比，宽禁带半导体材料具有多种优势，例如能管理高功率水平、对辐射不敏感、能在高温和高开关频率下工作，以及低噪声、低功耗和高效率。宽禁带半导体也因此对下一代太空系统的发展有着重要的战略意义。

随着全球经济向数字化不断迈进，基于云平台的服务需求越来越旺盛，很多公司开始投资新的数据中心。不间断电源(UPS)是其中的关键部分，对于确保数据中心运营的连续性和可靠性至关重要。与传统的硅功率器件和其他方案相比，碳化硅技术可极大提升数据中心的能源效率。

硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料，但与碳化硅（SiC）相比，则显得效率低下。SiC技术可提供更高的效率、更小的尺寸及更低的成本，并且降低了更智能电源设计的冷却要求，因而开始被多种应用采纳，特别是电动汽车，以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。

以前，电源工程师的设计优先级是先考虑成本，再考虑效率，最后考虑体积。然而，随着时代的发展，系统变得越来越复杂，体积也越来越小，系统已经不再只是一块PCB板，而是变得越来越复杂。系统开发人员要花多少时间在电源上？而且，现在的电源设计优先级已发生改变：体积的要求最高。

氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的栅极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。