集成电路的另一种新兴衬底材料SiC也是“上升之星”，而将GaN与SiC进行对比，前者的优势显而易见。

GaN材料是一种较新的衬底，非常适合高性能的电子应用，特别是在高频方面，比如5G应用。由于这种材料具有优异的性能，因此用GaN器件来设计电子电路会非常有吸引力：利用GaN作为高频功率放大器的衬底，可以为电源管理带来更高的效率并实现更宽的宽带。

GaN（氮化镓）是一种较新的衬底材料，非常适合高性能的电子应用，特别是在高频方面，比如5G应用。本系列文章将分成多个部分，深入探讨这项技术的优势及其研究成果和应用进展。

我们需要测量的信号正变得越来越极端，如高电压、大电流和高开关速度等。例如，电动汽车等应用中的电源设计正从IGBT向GaN和SiC等新一代器件转变，这些新器件的开关速度要比传统器件快得多，会产生很大噪声，影响环境，因而必须予以测量和抑制。此外，带宽变大、电流变大等也意味着，如果参数超出极限，则我们需要开发新的测量仪器来与时俱进。

当IGBT在高性能应用中高速接通和断开时，总会发生过压。例如，当关闭负载电流电路时，集电极发射极电压突然上升，达到非常高的峰值。由开关引起的过电压会严重损坏甚至破坏开关晶体管。

当我坐在电动汽车上踩下加速踏板，时速在3秒之内就能从0飙升到近100公里——我非常享受这个过程。正如我驾车疾驰在高速公路快车道上，而新一代技术将载着我们驰骋在大数据公路的快车道上。

对于工业应用，器件可提供达9000W超高功率耗散，无外部辐射

高效智能的能源利用反映到性能上，即更安全、更便捷、更清洁、更高效。要达到这四点，过去20年IGBT交了一份很好的答卷。但是到现在这个阶段，如果要更上一层楼，再有一个质的飞跃，那IGBT已经捉襟见肘了。

为了提供更多的功能，芯片变得越来越大，但是相反，封装却被要求以更小的尺寸来容纳这些更大尺寸的裸片。这就不可避免地要求，新的候选封装技术既能提高系统效率又能降低制造成本。

Hot 100是EDN一项承传已久的历史活动，每年美国的编辑们都会选出当年最热门的100款产品分享给大家。又是一年到了！2017年最热的产品有哪些？EDN编辑根据自己的判断和读者的兴趣选出了100个热门产品。

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当一个功率MOSFET被用在电桥拓扑或用作电源二次侧同步整流时，体漏二极管的特性及质量因子将变得非常重要。当需要Q_rr数值很低的软反向恢复时，集成肖特基二极管的新60V“F7”功率MOSFET确保能效和换向性能更加出色。

电子设备系统过热会造成电子元件过快损耗、性能下降、停止工作，甚至引起安全问题。电子设备之间以电磁传导、感应和辐射彼此关联并相互影响，从而对设备和人员造成干扰、影响和危害。此外，电子设备运行中的机械形变、疲劳等会直接影响其使用寿命……因此，我们在做电源管理及功率器件设计时必须对多个物理场进行分析。

为了保证隔离势垒的坚固性，该控制器在生产时经过测试，隔离性能达到 6kVRMS，并将得到组件级 UL 1577 标准的认可，从而可为最终设备制造商节省数月的认证时间。

电动汽车系统由电动马达、电力转换器和储能器件如锂离子电池组成。这种新的架构系统必须经过优化来最大限度地提高系统效率，使汽车一次充电能够达到最长的行驶距离。电子技术的这些发展为减少交通运输的排放创造了条件。