安森美EliteSiC裸芯片和图像传感器将助力理想汽车向800V纯电和更高级别自动驾驶迈进

大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS™ MOSFET的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案。

本文主要介绍地开离散量的基本原理、特点、应用及优势，并针对其在实际应用中存在的问题提出相应的解决方案。通过对地开离散量的研究，可以更好地理解其对于机载机电系统功率控制的重要作用，为相关领域的发展提供理论支持和实践参考。

与传统的单面冷却(SSC)模块相比，双面冷却(DSC)SiC模块在牵引逆变器性能方面有所改进。

Weltrend新参考设计表明，拥有成本优势的SuperGaN SiP IC，适用于65瓦和100瓦适配器 ，为客户带来规模经济以及无与伦比的氮化镓稳健性

又到了一年一度的盘点时刻，本文盘点汽车领域。

本文将讨论一些技术、工艺和工具，以帮助设计人员适应复杂性、微型化和设计周期缩短的新模式···

意法半导体与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。

大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片的2KW PSU服务器电源方案。

人们普遍认为，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件的内在可靠性至少与硅一样好。然而，这些宽禁带器件的失效模式可能不同，这使得硅失效模型对于可靠性预测目的无效。

如何能在电源体积做得更小的情况下，依然能够保证最好的性能？

消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向USB Type-C充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。

意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。

适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器

专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用