消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向USB Type-C充电器，越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。

意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。

适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器

专为大功率应用而设计的隔离式栅极驱动器，有助于加速氮化镓半导体在数据中心、可再生能源和电动汽车领域的应用

行业认可安森美在碳化硅领域的领先地位和创新实力

随着电压的提高和从400V系统中学到的经验教训，设计人员现在正专注于增强高压保护电路的性能并提高可靠性。他们正在重新评估使用熔丝、接触器或继电器的现有解决方案，以寻找响应速度更快、稳健性更强且可靠性更高的解决方案，如热熔丝和电子熔丝（即E-Fuse）。

电力电子产品设计人员致力于提升工业和汽车系统的功率效率和功率密度，这些设计涵盖多轴驱动器、太阳能、储能、电动汽车充电站和电动汽车车载充电器等。

随着技术的不断进步和成本的降低，碳化硅的应用领域将不断扩大。未来几年，电力电子、新能源、汽车制造等领域对碳化硅的需求将继续保持高速增长。同时，5G通信、物联网、人工智能等新兴领域也将为碳化硅产业带来巨大的发展机遇。

大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）STELLAR-E1系列SR5E1 MCU的汽车OBC和DC/DC评估板方案。

本文探讨耗尽型pHEMT射频(RF)放大器的工作原理以及如何对其有效偏置。耗尽型场效应晶体管(FET)需要负栅极电压，并且必须小心控制开启/关断的时序。

使用一对串联且反向连接的稳压二极管，可以构建出一个输出信号近似为方波的电路。

在上一期文章中，我们研究了一电平限幅电路的行为。现在，让我们继续讨论所谓的“限幅器”，即双电平限幅电路。

InnoSwitch3-EP 1250V IC强化了公司在高压氮化镓技术领域的持续领先地位