日前，中国科学院新疆理化技术研究所成功创制一种新型非线性光学晶体——全波段相位匹配晶体，成为目前世界上首例实现全波段双折射相位匹配的紫外/深紫外倍频晶体材料。

我们的团队希望通过更实用的产品组合来降低GaN的门槛。

加拿大拉瓦尔大学的科研团队开发出了第一台可在电磁光谱的可见光范围内产生飞秒脉冲的光纤激光器，这种能产生超短、明亮可见波长脉冲的激光器可广泛应用于生物医学、材料加工等领域。

好的封装才能把SiC的性能发挥出来，这次我们会从AQG324这个测试标准的角度来看芯片和封装的开发与验证。

采用碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件，可帮助设计人员平衡四大性能指标：效率、密度、成本和可靠性。

器件厚度仅为0.88mm，有效节省空间，采用易于吸附焊锡的侧边焊盘封装，可改善热性能并提高效

意法半导体发布一个八路输出高边开关产品系列。

大联大控股宣布，其旗下世平推出基于雅特力（Artery）AT32F413芯片的高压直流无刷电机驱动方案。

双方将合作研发先进功率半导体技术，推动航空业向混动和纯电动系统转型；合作研发的半导体器件将助力未来的混动直升机、飞机、以及空客的ZEROe（零排放飞机计划）和CityAirbus NextGen（下一代城市空中客车）中发挥重要作用

Melexis最新推出电机驱动芯片MLX81334，可大幅优化电动汽车热力阀（精准的电池温度控制）和膨胀阀（热泵制冷循环），显著增加电动汽车续航里程。

采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区

在更高开关频率的应用中，基于SiC的组件相比IGBT组件更具优势。SiC技术还为800V电池的开发提供了设计优势。它可以缩小OBC系统的尺寸并提高“从发电到驱动”的整体效率。

就在几年前，GaN还被认为是一种无用的半导体，这主要是因为GaN是一种非常不完美的晶体。因此，科学家和工程师克服了重重困难，才使GaN可用于各种应用。本文将介绍GaN技术的起源，让我们来先睹为快。

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案

有证据表明，GaN晶体管可以满足现代和未来数据中心的需求，同时让能源使用得到进步。