STPOWER IH2面向工业和电磁加热应用

GaN和SiC等宽禁带半导体(WBG)正在推动向800V电动汽车系统的转变。

使用SiC器件创建并联模块架构的最佳方法存在着一些挑战。由于其快速开关能力，在对模块和栅极驱动器布局时，必须要注意减少寄生效应并确保实现模块之间均匀的电流分配。

意法半导体为博格华纳的Viper功率模块提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃尔沃汽车在2030年前全面实现电动化目标；博格华纳将采用意法半导体碳化硅芯片为沃尔沃现有和未来的多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台

本文重点介绍了用于牵引驱动器应用的集成式双面冷却电源模块的架构。

意法半导体推出了首款具有电流隔离功能的氮化镓(GaN)晶体管栅极驱动器

减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资，特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告，到 2050 年，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电

第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效

你准备好用SiC设计电源产品了吗？虽然SiC作为一种宽禁带半导体，比硅(Si)具有更多的优势，但由于是种新技术，有关它的误解仍然有很多。本文列出了其中的八个，有哪些是你不知道的呢？

有了泰克及DPT1000A功率器件动态参数测试系统的给力支持，工程师可以更快更标准化地实现测试的准确性，以及实验测试过程中的一致性。

东芝宣布推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET——“TWxxxZxxxC系列”

东芝宣布推出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。

ISOFACE数字隔离器是英飞凌产品组合中的新成员，借助英飞凌二十载隔离技术经验，提供完整的系统解决方案。

东芝宣布推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。

氮化镓(GaN)产品让消费电子、工业和汽车系统更高效、更紧凑